GaN-basierter Verstärker liefert 50+ W Leistung von 4,4-5,0 GHz

300 W CW GaN-Transistor für ISM-Anwendungen bei 2450 MHz

Ermöglicht Anwendern die einfache Evaluierung von GaN in einem ultrakleinen Layout für eine äußerst kosteneffektive Lösung

Umfassende Bibliothek mit RF PA-Designs für 5G-Kommunikationsinfrastruktur, intelligente Industrieanwendungen und weitere schnell wachsende Märkte

Internationale IoT-Unterstützung für Gemeinden im globalen Connectory-Netzwerk

Portfolio von RF Power Multi-Chip-Modulen unterstützt aktive Massive MIMO-Antennensysteme für 5G Basisstationen

Vereinbarung umfasst COTS HPA-Module und LNA-Module

mangOH Gelb mit verlötetem WP7702 Cat-M1/NB-IoT Modul plus SIM-Karte ab sofort ab Lager lieferbar

Universell einsetzbares Gerät für Test- und Messzwecke, Verteidigungskommunikation, Landfunk und drahtlose Infrastrukturanwendungen

Bewährte, zuverlässige planare MOSFETs der dritten Generation mit robuster, intrinsischer Body-Diode