NXP Semiconductors - FRDMGD31RPEVM

Auf Lager: Half-Bridge-Gate-Drive-Evaluierungskit für die RoadPak IGBT/SiC-Module von Hitachi Energy
RFPD
NXP - FRDMGD31RPEVM

NXP - FRDMGD31RPEVM

Hersteller-Teil-Nr: FRDMGD31RPEVM

Das FRDMGD31RPEVM von NXP ist ein Halbbrücken-Evaluierungskit, das mit zwei GD3160 Einkanal-IGBT/SiC-MOSFET-Gate-Drive-Bausteinen bestückt ist. Das Kit enthält die Freedom KL25Z Mikrocontroller-Hardware für die Verbindung mit einem PC, auf dem die Flex GUI-Software für die Kommunikation mit den SPI-Registern auf den MC33GD3160 Gate-Drive-Bausteinen entweder in Daisy-Chain- oder Standalone-Konfiguration installiert ist.

Die GD3160-Übersetzerplatine wird verwendet, um 3,3-V-Signale in 5,0-V-Signale zwischen der MCU und den MC33GD3160-Gate-Treibern zu übersetzen.

FRDMGD31RPEVM, ursprünglich mit GD3100 bestückt, wurde mit GD3160 Gate-Drive-Bausteinen aktualisiert.

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Eigenschaften

  • Kompatibel mit RoadPak SiC MOSFET-Modul
  • Flex GUI zur Verwendung mit dem Kit verfügbar
  • Konfigurierbarkeit der Daisy-Chain-SPI-Schnittstelle
  • Einfach zu konfigurierende Jumper-Optionen
  • SPI-konfigurierbare Registeroptionen über Flex GUI
  • Doppelimpuls- und Kurzschlussauswertungen
  • Lichtwellenleiteranschlüsse für externe PWM-Eingänge
  • Entwickelt für den Anschluss an eine einzelne Phase eines RoadPak SiC MOSFET-Moduls für Halbbrückenbewertungen und Anwendungsentwicklung

    • Der Inhalt des Kits umfasst:

  • Zusammengebaute und getestete FRDMGD31RPEVM-Platine in einer antistatischen Tasche
  • 3,3-V-5,0-V-Übersetzerkarte (KITGD316xTREVB), angeschlossen an FRDM-KL25Z
  • USB-Kabel, Typ A-Stecker/Typ Mini B-Stecker, 3 ft
  • Schnellstart-Anleitung

    • NXP-Logo

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