Das FRDMGD3160HBIEVM ist ein Halbbrücken-Evaluierungskit, das mit zwei GD3160 Einkanal-IGBT/SiC-MOSFET-Gate-Drive-Bausteinen bestückt ist. Das Kit enthält die Freedom KL25Z Mikrocontroller-Hardware für die Anbindung eines PCs, der mit der Flex GUI-Software für die Kommunikation mit den SPI-Registern auf den MC33GD3160 Gate-Drive-Bausteinen entweder in Daisy-Chain- oder Standalone-Konfiguration installiert ist.
Die GD3160-Übersetzerplatine wird verwendet, um 3,3-V-Signale in 5,0-V-Signale zwischen der MCU und den GD3160-Gate-Treibern zu übersetzen. Das Evaluierungskit ist für den Anschluss an eine einzelne Phase eines Hybrid-Pack-IGBT- oder SiC-MOSFET-Moduls für Halbbrücken-Evaluierungen und Anwendungsentwicklung vorgesehen.
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Dies ist ein Halbbrücken-Evaluierungskit mit zwei MC33GD3160 Einkanal-IGBT/SiC-MOSFET-Gate-Drive-Bausteinen.

NXP - FRDMGD31RPEVM
Auf Lager: Half-Bridge-Gate-Drive-Evaluierungskit für die RoadPak IGBT/SiC-Module von Hitachi Energy

NXP Half-Bridge-Evaluierungskit mit einkanaligen IGBT/SiC-Gate-Drive-Bausteinen
Auf Lager: NXP Halbbrücken-Evaluierungskit mit einkanaligen IGBT/SiC-Gate-Drive-Bausteinen