Neues LoPak für 1200V-Anwendungen

Vertrautes Gehäuse für höhere Leistungen
1200-V-LoPak-Module von Hitachi

1200-V-LoPak-Module von Hitachi

Die neuen 1200-V-LoPak-Module zeichnen sich durch dieselbe hohe Zuverlässigkeit und Robustheit aus wie die gesamte Familie der Hochleistungshalbleiter von Hitachi Energy Grids.

Aufbauend auf seiner Erfahrung mit leistungsstarken und äußerst zuverlässigen Geräten für Spannungen über 3,3 kV hat Hitachi Energy Grids sein Produktportfolio um eine Familie von 1200-V-Leistungsmodulen erweitert, die die bestehende 1700-V-Familie ergänzt. Den Anfang macht ein 1200-V-Modul mit 900 A x 2, das ein weiterentwickeltes LoPak-Modulgehäuse nutzt.

Neues LoPak für 1200V-Anwendungen

Teil Nummer
Spannung (V)
Stromstärke (A)
Konfiguration
5SNG0900R120500
1200
900
Phase Bein
5SNG0900R120590
1200
900
Phase Bein
5SNG0600R120500
1200
600
Phase Bein
5SNG0600R120590
1200
600
Phase Bein

Für das aktive Front-End – also den maschinenseitigen Umrichter, der den Zwischenkreis mit dem Motor verbindet – sind die LoPak-Module von Hitachi Energy eine beliebte Wahl. Selbst bei niedrigeren Spannungen möchten Ingenieure nicht nur neue Wechselrichterkonzepte entwickeln, sondern auch die Möglichkeit haben, ihre bestehenden Konzepte mit demselben Modulpaket auf höhere Leistungen auszubauen. Dies ermöglicht eine schnellere Markteinführung, weniger Unterbrechungen in der Fertigung und potenziell niedrigere Stückkosten.

Diese neuen Module zeichnen sich durch die nächste Generation der extrem verlustarmen und robusten Trench-IGBT-Technologie aus, die für die Herstellung des Siliziumschalters und der optimierten Dioden verwendet wird.

Typische Anwendungen sind Windkraftanlagen, drehzahlvariable Antriebe, Stromversorgungen, Stromqualität, USV und erneuerbare Energien.

Speziell behandelte Cu-Grundplatte, kontrollierte Wölbung und reduzierter Luftspalt zum Kühlkörper.

Abstandshalter für Substratlot, homogene Lotdicke und weniger Delamination.

Einpress-Hilfsanschlüsse, Einpress-Hilfsstifte ermöglichen eine lötfreie Verbindung zur Gate-Treiber-Platine.

Kupferdrahtverbindungen für Hochstrom Stromanschluss und Substrat Zwischenverbindungen.

Maximale Sperrschichttemperatur
von 175 °C.

Unterstützung für Energie- und Leistungsdesign

Geben Sie uns die Möglichkeit, Ihr Projekt zu bewerten und Ihre Vision schneller auf den Markt zu bringen.

Über unser Expertenteam

Unser Team aus weltweit tätigen Anwendungsingenieuren steht für Ihre Fragen zur Verfügung, um sicherzustellen, dass Ihr Entwurf für ein Energieumwandlungs- oder Energiespeichersystem Ihre Leistungserwartungen erfüllt. Wenn Sie von Silizium auf Galliumnitrid (GaN) oder Siliziumkarbid (SiC) umsteigen, helfen wir Ihnen, das richtige Schaltgerät zu finden, um die Leistungsdichte und den höheren Wirkungsgrad zu erreichen, die Ihre Anwendung erfordert.