Energiespeicherung und Energieumwandlung Produkteinblicke
Unser Ziel ist es, die Verbraucher in die Lage zu versetzen, fundierte Entscheidungen darüber zu treffen, welche Energie- und Stromprodukte für ihre Bedürfnisse und ihr Budget am besten geeignet sind. Bleiben Sie dran für exklusive Inhalte und aktuelle Informationen zu allen Aspekten von Energie- und Stromprodukten. Lassen Sie sich von uns auf Ihrem Weg zu einem nachhaltigeren und effizienteren Projekt begleiten.
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Energie und Leistung Merkmale
August 12, 2025
Entdecken Sie die neuesten SiC-JFETs von onsemi, die im Vergleich zu Super-Junction-MOSFETs eine überlegene Leistung für Solid-State Circuit Breaker (SSCB)-Anwendungen bieten.
Juli 15, 2025
Die doppelseitigen High-Flow-Kühlplatten von Advanced Thermal Solutions (ATS) bieten die Flexibilität, Komponenten auf beiden Seiten zu montieren, was ihre außergewöhnliche Kühlleistung und Anpassungsfähigkeit für Anwendungen mit hohem Bedarf erhöht.
April 23, 2025
Sie haben die persönliche Veranstaltung verpasst? Keine Sorge - Sie können immer noch die auf unserem PCIM 2025-Stand ausgestellten Power-Produkte und Design-Ressourcen erkunden!
April 23, 2025
Der dreiphasige 2300-V-Wechselrichter-Referenzentwurf demonstriert die Einfachheit des Designs und die Skalierbarkeit der neuen 2300-V-SiC-Leistungsmodule von Wolfspeed ohne Grundplatte.
April 22, 2025
SEC-25KW-SIC-PIM-GEVK ist ein Referenzdesign-Kit für einen 25kW Fast DC EV Charger basierend auf SiC Power Integrated Module Technologie.
27. Februar 2025
Unsere Anwendungsingenieure und unser technisches Verkaufsteam stehen Ihnen zur Verfügung, um Sie bei der Erkundung der gesamten Palette aktiver, passiver und thermischer Produkte von Richardson RFPD zu unterstützen.
27. Februar 2025
Die PCEVBUM2878 und PCEVBUM2880 sind Evaluierungsboards, die für die Evaluierung der 1200V M3S Vollbrücke (PCEVBUM2878) und Halbbrücke (PCEVBUM2880) Siliziumkarbid-Leistungsmodule von onsemi entwickelt wurden.
Februar 20, 2025
Entdecken Sie die vielseitigen IGBT-7-Leistungsmodule von Microchip, die eine höhere Strombelastbarkeit, geringere Verluste und einen hohen Wirkungsgrad in verschiedenen Gehäuseoptionen bieten.
Februar 20, 2025
Der Bedarf an robusten Gate-Treibern nimmt zu. Wechselrichter, Umrichter und Motoren erfordern eine präzise Gate-Ansteuerung, einen hohen Wert und eine große Flexibilität. Die Si82Ax-Fx-Familien von Skyworks bieten all dies und mehr...
27. Januar 2025
Entdecken Sie den Hochleistungs-Flüssigkeitskühlkörper von Wakefield Thermal, der sich durch ein vakuumgelötetes Design auszeichnet. Die vakuumgelötete Kühlplatte bietet eine unvergleichliche Flexibilität in ihrem Design...
Wolfspeed hat eine grundplattenlose Modulfamilie auf den Markt gebracht, die den Anforderungen von Anwendungen im mittleren Leistungsbereich gerecht wird und Lösungen für die gesamte Leistungselektronik bietet.
Industrielle Elektromotoren, einschließlich industrieller Niederspannungsmotoren, Servoantriebe, Wärmepumpen und Klimaanlagen, verbrauchen zusammen mehr als 45 % des gesamten jährlichen weltweiten Stromverbrauchs.
Die Kühlkörper von Wakefield Thermal bieten eine breite Palette von Lösungen mit natürlicher Konvektion für Komponenten und Systeme mit höherer Leistung.
Der isolierte 2-W-DC/DC-Wandler der Serie R24C2T25 ist eine vielseitige Lösung für isolierte Gate-Bias-Spannungen, insbesondere für Transistoren wie IGBTs und Si und SiC MOSFETs.
Die Mittelspannungs-Leistungs-MOSFETs der Serie T10 von onsemi bieten mehrere Vorteile für schnell schaltende DC-DC- und Motorsteuerungsanwendungen.
Diese 12000V M3S planaren SiC-MOSFETs sind für schnelle Schaltanwendungen optimiert. Ihre Planartechnologie arbeitet zuverlässig mit negativer Gate-Spannung und schaltet Spikes am Gate aus.
Die bei Richardson RFPD erhältliche Familie von 700-V-Bauelementen von Innoscience kombiniert Leistungs-GaN-HEMT, Treiber, Strommessung und andere Funktionen in einem einzigen, dem Industriestandard entsprechenden 6x8-mm-QFN-Gehäuse.
Der dreiphasige 25-kW-Wechselrichter demonstriert eine beispiellose Leistungsdichte und Effizienz auf Systemebene, die durch den Einsatz der Wolfspeed WolfPACK™ FM3-Leistungsmodulplattform erreicht wird.
Die 650-V-GaN-on-Silicon-Leistungstransistoren im Enhancement-Mode von Innoscience sind für Hochspannungsanwendungen konzipiert.
APEC 2024 war ein weiterer großer Erfolg mit einem Rekord von über 6.000 Teilnehmern. Mit fesselnden Hauptvorträgen, interaktiven Workshops und Networking-Möglichkeiten...
Die RACM1200-V-Serie setzt einen neuen Maßstab für Kompaktheit in der Klasse der AC-Netzteile für zuverlässigen lüfterlosen Betrieb, der eine langfristige Systemverfügbarkeit unterstützt.
Das ISG3201 kann einen Dauerstrom von 34 A liefern, hat keine Rückspeisung und einen extrem niedrigen Einschaltwiderstand.
DC/DC-Wandler müssen häufig eine isolierte, asymmetrische Versorgung für High-Side-Gate-Treiber bereitstellen. Die einfachste (funktionale) Isolierung kann 1 kVDC für eine Sekunde standhalten.
Das neue 1200 V flowCSPFC S3 SiC-Modul mit stromsynthetisierender PFC-Topologie (CS-PFC) basiert auf der Konstantleistungsregelung...
Ein 1,7-kV-SiC-MOSFET ist eine ausgezeichnete Wahl für die Verwendung einer Einzelschalter-Flyback-Topologie in einer Hilfsstromversorgungsanwendung, die einen großen Eingangsspannungsbereich erfordert.
Typ MLPS Flatpack, ist ein flacher Aluminium-Elektrolytkondensator, der für 10.000 Stunden bei 105 °C getestet und ausgelegt ist.
Der INN100W032A ist ein 100-V-GaN-Leistungstransistor im Enhancement-Mode für Class-D-Audio, Hochfrequenz-DC-DC-Wandler, Motorantriebe und mehr.
Die RFPD-Hersteller von Richardson repräsentieren die weltweit führenden Anbieter von Präzisionsrobotik-Technologie. Unsere Ingenieure unterstützen Sie bei der Auswahl der neuesten Hardware, Software und Energiespeicherlösungen, um die Entwicklung sicherer, skalierbarer und zuverlässiger Produkte zu fördern.
Das Siliziumkarbid-Halbbrückenmodul von Wolfspeed zeichnet sich durch hohe Leistung, Langlebigkeit und Energieeffizienz aus.
Mit den digitalen SiC-Gate-Treibern von Microchip können Anwender die Schaltverluste reduzieren und die Systemdichte verbessern.
