Die neuen 1200-V-LoPak-Module tragen dieselbe DNA für hohe Zuverlässigkeit und Robustheit wie die gesamte Familie der Hochleistungs-Halbleiter von Hitachi Energy Power Grids.
Aufbauend auf seiner Erfahrung mit hochleistungsfähigen und hochzuverlässigen Geräten für Spannungen über 3,3 kV hat Hitachi Energy Power Grids sein Produktportfolio durch die Einführung einer Familie von 1200-V-Leistungsmodulen erweitert, die die bestehende 1700-V-Familie ergänzen, beginnend mit einem 1200-V-Modul mit 900 A x 2, das ein verbessertes LoPak-Modulpaket verwendet.
Neues LoPak für 1200V-Anwendungen
Teil Nummer | Spannung (V) | Stromstärke (A) | Konfiguration | 5SNG0900R120500 | 1200 | 900 | Phase Bein |
|---|---|---|---|
5SNG0900R120590 | 1200 | 900 | Phase Bein |
5SNG0600R120500 | 1200 | 600 | Phase Bein |
5SNG0600R120590 | 1200 | 600 | Phase Bein |
- Vorteile
Für das aktive Front End oder den maschinenseitigen Umrichter, der den Gleichstromzwischenkreis mit dem Motor verbindet, sind die LoPak-Module von Hitachi Energy Power Grids eine beliebte Wahl. Selbst bei niedrigeren Spannungen möchten Ingenieure nicht nur neue Wechselrichterdesigns entwickeln, sondern auch die Möglichkeit haben, ihre bestehenden Designs aufzurüsten, um mit demselben Modulpaket eine höhere Leistung zu erzielen. Dies ermöglicht eine schnellere Markteinführung, weniger Unterbrechungen der Fertigungslinien und potenziell niedrigere Stückkosten.
Diese neuen Module zeichnen sich durch die nächste Generation der extrem verlustarmen und robusten Trench-IGBT-Technologie aus, die für die Herstellung des Siliziumschalters und der optimierten Dioden verwendet wird.
- Bewerbungen
Typische Anwendungen sind Windkraftanlagen, drehzahlvariable Antriebe, Stromversorgungen, Stromqualität, USV und erneuerbare Energien.
- Eigenschaften
Speziell behandelte Cu-Grundplatte, kontrollierte Wölbung und reduzierter Luftspalt zum Kühlkörper.
Abstandshalter für Substratlot, homogene Lotdicke und weniger Delamination.
Einpress-Hilfsanschlüsse, Einpress-Hilfsstifte ermöglichen eine lötfreie Verbindung zur Gate-Treiber-Platine.
Kupferdrahtverbindungen für Hochstrom Stromanschluss und Substrat Zwischenverbindungen.
Maximale Sperrschichttemperatur
von 175 °C.
