Ein 1,7-kV-SiC-MOSFET ist eine ausgezeichnete Wahl für den Einsatz einer Ein-Schalter-Flyback-Topologie in einer Hilfsstromversorgungsanwendung, die einen großen Eingangsspannungsbereich erfordert. Die Durchbruchspannung von 1,7 kV bietet eine ausreichende Spannungsmarge für die 1 kV-Eingangsspannung. Der spezifische On-Widerstand eines 1,7-kV-SiC-MOSFETs ist viel geringer als der eines Hochspannungs-Silizium-MOSFETs, was eine kleinere Chipgröße und einen geringeren On-Widerstand im gleichen Gehäuse ermöglicht. Die kleinere Chipgröße reduziert auch die Schaltverluste erheblich. Diese Option ermöglicht es dem Benutzer, die Schaltfrequenz der Hilfsstromversorgung zu erhöhen, um die Größe und das Gewicht des Transformators zu reduzieren.
Hilfsenergieversorgung für Industrie- und Solaranwendungen Anwendungen
Eigenschaften
Anwendungen
Referenz-Design STÜCKLISTE
Die MSC750SMA170 der in dieser Referenzdesign-Stückliste enthalten ist, gehört zur neuesten Familie der SiC-MOSFET-Bauelemente von Microchip. Die SiC-Lösungen von Microchip konzentrieren sich auf hohe Leistung und tragen dazu bei, die Systemeffizienz zu maximieren und das Systemgewicht und die Größe zu minimieren. Die bewährte SiC-Zuverlässigkeit von Microchip sorgt außerdem dafür, dass die Leistung während der gesamten Lebensdauer des Endgeräts nicht nachlässt.
Teil Nummer | Spannung (V) | Stromstärke (A) | Rds(on) (mΩ) | Konfiguration | Paket Typ | MSC750SMA170B | 1700 | 7 | 750 | Einzelner SiC-MOSFET | TO-247-3L |
|---|---|---|---|---|---|
MSC750SMA170SA | 1700 | 6 | 750 | Einzelner SiC-MOSFET | D2PAK-7L |
MSC750SMA170S | 1700 | 6 | 750 | Einzelner SiC-MOSFET | TO-268 |
MSC750SMA170B4 | 1700 | 7 | 750 | Einzelner SiC-MOSFET | TO-247-4L |
