Neues BM3-Halbbrückenmodul mit Schottky-Dioden

Für industrielle Anwendungen mit höheren Frequenzen
62 mm BM3 Siliziumkarbid-Halbbrücken-Leistungsmodule

62 mm BM3 Siliziumkarbid-Halbbrücken-Leistungsmodule

Die BM3-Leistungsmodulplattform von Wolfspeed bietet die Systemvorteile von Siliziumkarbid (SiC) unter Beibehaltung des robusten, dem Industriestandard entsprechenden 62-mm-Modulgehäuses. Das interne Design des 62-mm-BM3-Gehäuses von Wolfspeed ermöglicht Hochgeschwindigkeits-Siliziumkarbid-Schaltvorteile und eine erhöhte Systemeffizienz aufgrund des niederinduktiven Layouts.

Die BM3-Plattform eignet sich perfekt für industrielle Hochfrequenzanwendungen wie Induktionserwärmung, Schienen- und Traktionsverkehr, Motorantriebe und EV-Ladeinfrastrukturen.

Wolfspeed-Logo
  • Branchenführende, zuverlässige Siliziumkarbid-MOSFET-Technologie im robusten, bewährten 62-mm-Formfaktor
  • Starke thermische Leistung + Materialauswahl optimiert für industrielle Anwendungen und raue Umgebungen
  • Niederinduktives Design (10-15 nH) für schnelles Schalten mit geringer Verlustleistung
  • MOSFET-Chips und ausgewählte Module, die für HV-H3TRB qualifiziert sind
  • Breites Angebot an Strom- und Spannungswerten für verschiedene industrielle Anwendungen
  • Schnelle Markteinführung mit minimalem Entwicklungsaufwand für den Übergang von 62 mm IGBT-Gehäusen
    Geringerer Kühlungsbedarf und geringere Gesamtsystemkosten
  • Optimiertes internes Layout für geringe Leistungsverluste und minimales Überschwingen für maximale Spannungsausnutzung
  • Induktionserwärmung
  • Motorische Antriebe
  • Energieerzeugung / Intelligente Netze / Intelligente Energie
  • Eisenbahn
  • EV-Schnellladung
  • USV und SMPS
Teil Nummer
Blockierspannung (V)
Aktuelle Bewertung
Rds(on)
bei 25°C
Maximale Sperrschichttemperatur
Modul Größe
WAS175M12BM3
1200 V
175 A
8 mΩ
150 °C
106 x 62 x 30 mm
CAS175M12BM3
1200 V
175 A
8 mΩ
150 °C
106 x 62 x 30 mm
WAB300M12BM3
1200 V
300 A
4 mΩ
175 °C
105 x 62 x 31 mm
WAS350M12BM3
1200 V
350 A
4 mΩ
150 °C
106 x 62 x 30 mm
CAS350M12BM3
1200 V
350 A
4 mΩ
150 °C
106 x 62 x 30 mm
WAB400M12BM3
1200 V
400 A
3,25 mΩ
175 °C
105 x 62 x 31 mm
CAB530M12BM3
1200 V
530 A
2,6 mΩ
175 °C
106 x 62 x 30 mm
WAS530M12BM3
1200 V
530 A
2,67 mΩ
150 °C
106 x 62 x 30 mm
CAS530M12BM3
1200 V
530 A
2,67 mΩ
150 °C
106 x 62 x 30 mm

Unterstützung für Energie- und Leistungsdesign

Geben Sie uns die Möglichkeit, Ihr Projekt zu bewerten und Ihre Vision schneller auf den Markt zu bringen.

Über unser Expertenteam

Unser Team aus weltweit tätigen Anwendungsingenieuren steht für Ihre Fragen zur Verfügung, um sicherzustellen, dass Ihr Entwurf für ein Energieumwandlungs- oder Energiespeichersystem Ihre Leistungserwartungen erfüllt. Wenn Sie von Silizium auf Galliumnitrid (GaN) oder Siliziumkarbid (SiC) umsteigen, helfen wir Ihnen, das richtige Schaltgerät zu finden, um die Leistungsdichte und den höheren Wirkungsgrad zu erreichen, die Ihre Anwendung erfordert.