TOLL MOSFETs mit kompakter Grundfläche

Ermöglicht hohe Effizienz und hohe Leistungsdichte in den anspruchsvollsten Server- und Rechenzentrumsanwendungen
650-V-SiC-Leistungs-MOSFETs in TO-Leadless-Gehäusen (TOLL)

650-V-SiC-Leistungs-MOSFETs in TO-Leadless-Gehäusen (TOLL)

Das oberflächenmontierbare TOLL-Gehäuse ist ein innovatives Gehäuse, das von der Industrie zunehmend angenommen wird - typischerweise für Anwendungen mit hohen Strömen und hoher Leistungsdichte. Die für industrielle Anwendungen qualifizierten 650-V-SiC-MOSFETs von Wolfspeed im TOLL-Gehäuse sind deutlich kleiner als andere Gehäuseoptionen. Verglichen mit dem Standard TO-263-7L mit einer Grundfläche von 151,5 mm2 und einer Höhe von 4,30 mm hat der TOLL-Baustein eine Grundfläche von 113 mm2 und eine Höhe von 2,2 mm. Das ist eine Reduzierung der Grundfläche um fast 25 % und eine noch bemerkenswertere Reduzierung der Höhe um 50 %.

Wolfspeed Ausgewählte Produkte

Teil Nummer
Blockierspannung (V)
Rds(on)
bei 25°C
Aktuelle Bewertung
Gate-Gebühr Gesamt
Ausgangskapazität
Gesamtverlustleistung
Maximale Sperrschichttemperatur
Verfügbarkeit
C3M0045065L
650 V
45 mΩ
51 A
59 nC
101 pF
160 W
150 °C
Bestellen / Mehr erfahren
C3M0060065L
650 V
60 mΩ
38 A
46 nC
80 pF
126 W
150 °C
Bestellen / Mehr erfahren
C3M0120065L
650 V
120 mΩ
21 A
25 nC
43 pF
89 W
150 °C
Bestellen / Mehr erfahren

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Über unser Expertenteam

Unser Team aus weltweit tätigen Anwendungsingenieuren steht für Ihre Fragen zur Verfügung, um sicherzustellen, dass Ihr Entwurf für ein Energieumwandlungs- oder Energiespeichersystem Ihre Leistungserwartungen erfüllt. Wenn Sie von Silizium auf Galliumnitrid (GaN) oder Siliziumkarbid (SiC) umsteigen, helfen wir Ihnen, das richtige Schaltgerät zu finden, um die Leistungsdichte und den höheren Wirkungsgrad zu erreichen, die Ihre Anwendung erfordert.