Wolfspeed C6D 650 V SiC-Schottky-Dioden

Erweiterung der Wolfspeed-Familie von SiC-Schottky-Dioden mit branchenführendem Wirkungsgrad und Leistungsdichte für anspruchsvollste Leistungswandlungsanwendungen
RFPD
Wolfspeed C6D 650 V SiC-Schottky-Dioden

Wolfspeed C6D 650 V SiC-Schottky-Dioden

Wolfspeed erweitert seine 650-V-SiC-Schottky-Dioden-Familie der 6. Generation (C6D), die auf seiner innovativen, robusten und zuverlässigen 150-mm-SiC-Wafer-Technologie basiert.

Die C6D-Technologie bietet den niedrigsten Vorwärtsspannungsabfall (VF = 1,27 V @ 25°C), was sich erheblich auf die Reduzierung der Leitungsverluste auswirkt und eine extrem hohe Effizienz und Leistungsdichte auf Systemebene in den anspruchsvollsten Leistungsumwandlungsanwendungen ermöglicht, einschließlich Leistungsfaktorkorrektur (PFC) und Hochspannungs-DC/DC-Wandler.

Wolfspeed-Logo

Wolfspeed C6D 650 V SiC-Schottky-Dioden

Eigenschaften

  • Kompatibel mit einem Gate-Treiberkern der Serie 2ASC
  • Kompatibel mit einem bestimmten Typ von SiC-Bauelementen
  • Nur für Bewertungszwecke konzipiert

    • Wesentliche Merkmale

  • Niedrige VF = 1,27 V (25°C) & 1,37 (175°C)
  • Klassenbester DVF/DT
  • Null Rückforderung
  • Hohe Durchbruchspannung
  • Geringer Ableitstrom
  • Großer Tj-Bereich (-55°C bis 175°C)
  • Verbesserte thermische Stabilität

    • Wichtige Anwendungen

  • UPS
  • Medizinische
  • Unterhaltungselektronik
  • PC
  • Solar

    • Fragen Sie einen Ingenieur
    Teil Nummer
    VRRM
    IF
    VF (25°C)
    Paket-Optionen
    C6D50065H
    650 V
    50 A
    1.3V
    TO-247-2
    C6D50065D1
    650 V
    50 A
    1.3 V
    TO-247-3
    C6D20065D1
    650 V
    20 A
    1.27 V
    TO-247-3
    C6D20065G
    650 V
    20 A
    1.27 V
    TO-263-2
    C6D20065H
    650 V
    20 A
    1.27 V
    TO-247-2
    C6D20065D
    650 V
    20 A
    1.27 V
    TO-247-3
    C6D16065D
    650 V
    16 A
    1.27 V
    TO-247-3
    C6D10065A
    650 V
    10 A
    1.27 V
    TO-220-2
    C6D10065G
    650 V
    10 A
    1.27 V
    TO-263-2
    C6D10065E
    650 V
    10 A
    1.27 V
    TO-252-2
    C6D08065A
    650 V
    8 A
    1.27 V
    TO-220-2
    C6D08065E
    650 V
    8 A
    1.27 V
    TO-252-2
    C6D08065G
    650 V
    8 A
    1.27 V
    TO-263-2
    C6D06065A
    650 V
    6 A
    1.27 V
    TO-220-2
    C6D06065E
    650 V
    6 A
    1.27 V
    TO-252-2
    C6D06065G
    650 V
    6 A
    1.27 V
    TO-263-2
    C6D04065A
    650 V
    4 A
    1.27 V
    TO-220-2
    C6D04065E
    650 V
    4 A
    1.27 V
    TO-252-2

    Unterstützung für Energie- und Leistungsdesign

    Geben Sie uns die Möglichkeit, Ihr Projekt zu bewerten und Ihre Vision schneller auf den Markt zu bringen.

    Fragen Sie einen Experten

    Über unser Expertenteam

    Unser Team aus weltweit tätigen Anwendungsingenieuren steht für Ihre Fragen zur Verfügung, um sicherzustellen, dass Ihr Entwurf für ein Energieumwandlungs- oder Energiespeichersystem Ihre Leistungserwartungen erfüllt. Wenn Sie von Silizium auf Galliumnitrid (GaN) oder Siliziumkarbid (SiC) umsteigen, helfen wir Ihnen, das richtige Schaltgerät zu finden, um die Leistungsdichte und den höheren Wirkungsgrad zu erreichen, die Ihre Anwendung erfordert.
     
    Richardson RFPD Logo

    Hilfreich Links