Verbessern Sie Ihr EV-Ladegerät mit SiC MOSFET-basierten Flow E Power-Modulen
Die neuen flow DUAL SiC E1 und fastPACK SiC E1/E2 wurden mit dem Ziel entwickelt, die Designs von EV-Offboard-Ladegeräten schneller, kleiner und effizienter zu machen. Die Module basieren auf den neuesten 650V- und 1200V-SiC-MOSFET-Chip-Generationen mit einem On-Widerstand von nur 5mOhm.
Neben der Optimierung der Leistung legt Vincotech den Schwerpunkt auf die Zuverlässigkeit. Mit der neuen fortschrittlichen Die-Attach-Technologie können die neuen Flow E SiC MOSFET-basierten Module die Lebensdauer der Leistungszyklen um den Faktor 2 verlängern. Vincotech unterstützt seit über 20 Jahren die Ideen seiner Kunden. Ihre Erfahrung und SiC-basierte Leistungsmodule gepaart mit Ihren Designs ergeben das bestmögliche Ergebnis!
Zu den Zielanwendungen gehören: USV und Stromaggregate, Energiespeichersysteme, industrielle Ladesysteme, Off-Board-Ladegeräte für Fahrzeuge und Solarwechselrichter.
- Vorteile
- Faktor 2: Verbesserte Zyklenfestigkeit für eine längere Lebensdauer
- SiC-Komponenten aus mehreren Bezugsquellen für mehr Wahlfreiheit und weniger Risiken in der Lieferkette
- Optionale integrierte Kondensatoren für verbesserte EMC-Leistung
- Einpressstifte und vorapplizierter TIM zur Senkung der Produktionskosten
Vincotech Ausgewählte Produkte
Teil Nummer | Durchbruchspannung (V) | Nennstrom des Chips (A) | Rds(on) (mΩ) | Topologie | Modulgehäuse | Stellfläche (mm) | Höhe (mm) | 10-EY122PA005ME-LU39F08T | 1200 | 240 | 5 | Halbbrücke | Durchfluss E2 | 62.8×57.7 | 12 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
10-EY122PA008ME-LU38F08T | 1200 | 240 | 8 | Halbbrücke | Durchfluss E2 | 62.8×57.7 | 12 |
10-EY124PA016ME-LP49F18T | 1200 | 80 | 16 | H-Brücke | Durchfluss E2 | 62.8×57.7 | 12 |
10-EZ074PA021UF01-LQ18F98T* | 650 | 50 | 21 | H-Brücke | Durchfluss E1 | 62.8×34.8 | 12 |
10-EZ124PA032ME-LQ17F18T* | 1200 | 40 | 32 | H-Brücke | Durchfluss E1 | 62.8×34.8 | 12 |
*In der Qualifikation
