Vereinfachen Sie die Auswahl und Bewertung von SiC

Mit dem DC/DC-Wandler R23C2T25 mit asymmetrisch geregelten Ausgängen

DC/DC-Wandler werden häufig benötigt, um eine isolierte asymmetrische Versorgung für High-Side-Gate-Treiber bereitzustellen. Die einfachste (funktionale) Isolierung kann 1 kVDC für eine Sekunde standhalten. Das klingt beeindruckend, ist aber oft nicht ausreichend.

High-Side-Inverter werden oft mit einer optoisolierten PWM-Steuerung mit einigen hundert Volt betrieben, so dass die Gate-Treiber eine isolierte Stromversorgung benötigen. Diese isolierte Versorgung beträgt typischerweise +15/-9 V für IGBT, +20/-5 V oder +15/-3 V für SiC und +6 V und +9 V für GaN. Eine typische DC/DC-Isolationsspannung würde mindestens das Doppelte der Arbeitsspannung betragen, aber die hohe Umgebungstemperatur und die schnellen Schaltflanken, die von diesen Hochleistungstransistoren erzeugt werden, belasten die Isolationsbarriere zusätzlich.

DC/DC-Wandler mit hoher Isolation von RECOM

RECOM vereint die erforderlichen asymmetrischen Ausgangsspannungen, hohe Isolationsspannung und geringe Isolationskapazität in einem einfachen DC/DC-Wandlermodul. Ob IGBT, SiC MOSFET oder GaN HEMT, RECOM hat das passende Drop-In Produkt.

SiC-Gate-Treiber

Die RxxP- und RA3-Serien von RECOM wurden für eine optimale SiC-MOSFET-Leistung entwickelt und liefern präzise asymmetrische Spannungen und hohe Ausgangsströme für die Versorgung von WBG-Bauteilen der ersten bis dritten Generation mit effizienten Hochgeschwindigkeitsschaltungen.

GaN-Gate-Treiber

Die DC/DC-Wandler der Serien RP, RxxP06S und RA3 von RECOM bieten eine hohe Isolation und niedrige Kapazität für optimales Schalten von GaN-Transistoren bei +6 V mit flexiblen Ausgangsoptionen, einschließlich Split +9 V für negative Gate-Ansteuerung.

IGBT-Gate-Treiber

Die DC/DC-Wandler der Serien RH, RV, RP, RGZ, RKZ und RxxP von RECOM vereinfachen das Design von IGBT-Treibern mit asymmetrischen +15V/-9V-Ausgängen, indem sie doppelte Wandler durch eine einzige kompakte Lösung ersetzen, die in verschiedenen Pin-Ausführungen und Gehäusen erhältlich ist.

SiC-Gate-Treiber - Hoch isolierte DC/DC-Wandler

Die 2-W-SiC-Gate-Treiber-DC/DC-Wandler von RECOM (Serien RKZ, RxxP2xx, RA3 sowie R24C2T25 und R24C2T25/R) bieten eine verstärkte Isolierung bis zu 6,4 kVDC/1s und die für effizientes SiC-MOSFET-Schalten erforderlichen asymmetrischen Spannungen. Die Serien RxxP22005D und RKZ-xx2005D liefern +20V/-5V für Bauteile der ersten Generation, während die Serie RxxP21503D +15V/-3V für SiC-MOSFETs der zweiten Generation bereitstellt. Die kompakten Serien R24C2T25 und R24C2T25/R fügen programmierbare asymmetrische Ausgänge in platzsparenden SMD-Gehäusen hinzu, während die SMD-montierte Serie RA3 drei Spannungskombinationen mit höherer Stromfähigkeit bietet, um die Schaltleistung über mehrere SiC-Generationen hinweg zu maximieren.

Teil Nummer
Eingangsspannung (V)
Ausgangsspannung (V)
Ausgangsleistung (W)
Isolierung (kV)
R9C1T18/R
8.5 - 18
Programmierbar
3
5
R12C2T25/R
9 - 18
Programmierbar
2.5
5
R12C2T12/R
9 - 18
Programmierbar
2.5
5
R15C2T25/R
13.5 - 18
Programmierbar
2.5
5
R24C2T25/R
21 - 27
Programmierbar
2.5
5
R24C2T25
21 - 27
Programmierbar
2.5
3
R05P22005D/P
5
20/-5
2
6.4
R12P21503D
12
15/-3
2
6.4
R12P22005D
12
20/-5
2
6.4
R12P22005D/P
12
20/-5
2
6.4
R15P21503D
15
15/-3
2
6.4
R15P22005D
15
20/-5
2
6.4
R15P22005D/P
15
20/-5
2
6.4
R24P21503D
24
15/-3
2
6.4
R24P21503D/P
24
15/-3
2
6.4
R24P22005D
24
20/-5
2
6.4
R24P22005D/P
24
20/-5
2
6.4
RKZ-052005D
5
20/-5
2
3
RKZ-052005D/H
5
20/-5
2
4
RKZ-052005D/HP
5
20/-5
2
4
RKZ-052005D/P
5
20/-5
2
3
RKZ-122005D
12
20/-5
2
3
RKZ-122005D/H
12
20/-5
2
4
RKZ-122005D/HP
12
20/-5
2
4
RKZ-122005D/P
12
20/-5
2
3
RKZ-152005D
15
20/-5
2
3
RKZ-152005D/H
15
20/-5
2
4
RKZ-152005D/HP
15
20/-5
2
4
RKZ-152005D/P
15
20/-5
2
3
RKZ-242005D
24
20/-5
2
3
RKZ-242005D/H
24
20/-5
2
4
RKZ-242005D/HP
24
20/-5
2
4
RKZ-242005D/P
24
20/-5
2
3
RA3-050701D/SMD
5
7/-1
3
5.2
RA3-051503D/SMD
5
15/-3
3
5.2
RA3-051505D/SMD
5
15/-5
3
5.2
RA3-052005D/SMD
5
20/-5
3
5.2
RA3-120701D/SMD
12
7/-1
3
5.2
RA3-121503D/SMD
12
15/-3
3
5.2
RA3-121505D/SMD
12
15/-5
3
5.2
RA3-122005D/SMD
12
20/-5
3
5.2
RA3-240701D/SMD
24
7/-1
3
5.2
RA3-241503D/SMD
24
15/-3
3
5.2
RA3-241505D/SMD
24
15/-5
3
5.2
RA3-242005D/SMD
24
20/-5
3
5.2

GaN-Treiber - Hoch isolierte DC/DC-Wandler

Die DC/DC-Wandler RP-xx06S und RxxP06S von RECOM liefern +6V mit hoher Isolation und geringer Kapazität, was sie ideal für GaN-Transistortreiber mit hoher Slew-Rate macht. Für lautere Umgebungen können die +9V-Versionen über einen Zener auf +6V und -3V gesplittet werden, was eine sichere negative Gate-Vorspannung beim Abschalten gewährleistet. Die Serien R24C2T25 und R24C2T25/R bieten kompakte SMD-Lösungen mit programmierbaren asymmetrischen Ausgängen für eine präzise Spannungsanpassung in GaN-Anwendungen. Für höhere Leistungsanforderungen bietet die SMD-montierte RA3-Serie drei Ausgangsoptionen und eine erhöhte Stromfähigkeit, um schnelles, zuverlässiges Schalten von GaN- und anderen WBG-Bauelementen zu ermöglichen.

Teil Nummer
Eingangsspannung (V)
Ausgangsspannung (V)
Ausgangsleistung (W)
Isolierung (kV)
R9C1T18/R
8.5 - 18
Programmierbar
3
5
R12C2T25/R
9 - 18
Programmierbar
2.5
5
R12C2T12/R
9 - 18
Programmierbar
2.5
5
R15C2T25/R
13.5 - 18
Programmierbar
2.5
5
R24C2T25/R
21 - 27
Programmierbar
2.5
5
R24C2T25
21 - 27
Programmierbar
2.5
3
R05P06S
5
6
1
6.4
R12P06S
12
6
1
6.4
R15P06S
15
6
1
6.4
R24P06S
24
6
1
6.4
RP-0506S
5
6
1
5.2
RP-1206S
12
6
1
5.2
RP-1506S
15
6
1
5.2
RP-2406S
24
6
1
5.2
RA3-050701D/SMD
5
7/-1
3
5.2
RA3-051503D/SMD
5
15/-3
3
5.2
RA3-051505D/SMD
5
15/-5
3
5.2
RA3-052005D/SMD
5
20/-5
3
5.2
RA3-120701D/SMD
12
7/-1
3
5.2
RA3-121503D/SMD
12
15/-3
3
5.2
RA3-121505D/SMD
12
15/-5
3
5.2
RA3-122005D/SMD
12
20/-5
3
5.2
RA3-240701D/SMD
24
7/-1
3
5.2
RA3-241503D/SMD
24
15/-3
3
5.2
RA3-241505D/SMD
24
15/-5
3
5.2
RA3-242005D/SMD
24
20/-5
3
5.2

IGBT-Treiber - Hoch isolierte DC/DC-Wandler

Die DC/DC-Wandler RH, RV, RP, RGZ, RKZ, RxxPxx, RxxP2xx, RA3, R24C2T25 und R24C2T25/R von RECOM sind für IGBT-Treiberschaltungen konzipiert und liefern asymmetrische Ausgänge von +15V/-9V. Dadurch werden zwei separate Wandler überflüssig, was das Design vereinfacht und Platz auf der Leiterplatte spart. Die SMD-montierte RA3-Serie bietet drei Spannungsoptionen mit höherem Ausgangsstrom für schnelleres Schalten, während die kompakte R24C2T25/R-Serie in einem 36-Pin-SSOP-SMD-Gehäuse programmierbare, zweifach geregelte Ausgänge, breite Eingangsbereiche, verstärkte 5kVAC-Isolierung und integrierte Schutzfunktionen bietet, die präzise Gate-Treiberspannungen und einen zuverlässigen Betrieb in IGBT-Anwendungen gewährleisten.

Teil Nummer
Eingangsspannung (V)
Ausgangsspannung (V)
Ausgangsleistung (W)
Isolierung (kV)
R9C1T18/R
8.5 - 18
Programmierbar
3
5
R12C2T25/R
9 - 18
Programmierbar
2.5
5
R12C2T12/R
9 - 18
Programmierbar
2.5
5
R15C2T25/R
13.5 - 18
Programmierbar
2.5
5
R24C2T25/R
21 - 27
Programmierbar
2.5
5
R24C2T25
21 - 27
Programmierbar
2.5
3
RGZ-xx1509D
5, 12, 24
15/-9
2
3
RH-xx1509D
5, 12, 24
15/-9
1
3
RKZ-xx1509D
5, 12, 24
15/-9
2
3
RV-xx1509D
5, 12, 24
15/-9
2
6
R05P22005D/P
5
20/-5
2
6.4
R12P21503D
12
15/-3
2
6.4
R12P22005D
12
20/-5
2
6.4
R12P22005D/P
12
20/-5
2
6.4
R15P21503D
15
15/-3
2
6.4
R15P22005D
15
20/-5
2
6.4
R15P22005D/P
15
20/-5
2
6.4
R24P21503D
24
15/-3
2
6.4
R24P21503D/P
24
15/-3
2
6.4
R24P22005D
24
20/-5
2
6.4
R24P22005D/P
24
20/-5
2
6.4
RA3-050701D/SMD
5
7/-1
3
5.2
RA3-051503D/SMD
5
15/-3
3
5.2
RA3-051505D/SMD
5
15/-5
3
5.2
RA3-052005D/SMD
5
20/-5
3
5.2
RA3-120701D/SMD
12
7/-1
3
5.2
RA3-121503D/SMD
12
15/-3
3
5.2
RA3-121505D/SMD
12
15/-5
3
5.2
RA3-122005D/SMD
12
20/-5
3
5.2
RA3-240701D/SMD
24
7/-1
3
5.2
RA3-241503D/SMD
24
15/-3
3
5.2
RA3-241505D/SMD
24
15/-5
3
5.2
RA3-242005D/SMD
24
20/-5
3
5.2

Unterstützung für Energie- und Leistungsdesign

Geben Sie uns die Möglichkeit, Ihr Projekt zu bewerten und Ihre Vision schneller auf den Markt zu bringen.

Über unser Expertenteam

Unser Team aus weltweit tätigen Anwendungsingenieuren steht für Ihre Fragen zur Verfügung, um sicherzustellen, dass Ihr Entwurf für ein Energieumwandlungs- oder Energiespeichersystem Ihre Leistungserwartungen erfüllt. Wenn Sie von Silizium auf Galliumnitrid (GaN) oder Siliziumkarbid (SiC) umsteigen, helfen wir Ihnen, das richtige Schaltgerät zu finden, um die Leistungsdichte und den höheren Wirkungsgrad zu erreichen, die Ihre Anwendung erfordert.