Wolfspeed - CAB320M17XM3

Wolfspeed 1700V, 320A Halbbrücken-Siliziumkarbid-Modul
RFPD
Auf Lager: Wolfspeed - CAB320M17XM3

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Das Siliziumkarbid-Halbbrückenmodul von Wolfspeed zeichnet sich durch hohe Leistung, Haltbarkeit und Energieeffizienz aus. Der niedrige On-Widerstand von 3,5 mΩ und die Hochspannungsfähigkeit ermöglichen eine effiziente Energieübertragung, während die Verwendung von hitzebeständigem Siliziumkarbid für Langlebigkeit sorgt.

Wolfspeed

CAB320M17XM3 von Wolfspeed

1700 V, 3,5 mΩ, Siliziumkarbid, Halbbrückenmodul

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Vorteile des Systems

  • Die Klemmenanordnung ermöglicht einen direkten Anschluss der Stromschiene ohne Biegungen oder Durchführungen, was ein einfaches, induktionsarmes Design ermöglicht.
  • Die isolierte, integrierte Temperaturerfassung ermöglicht einen hohen Temperatur temperaturschutz.
  • Dedizierter High-Side-Kelvin-Drain-Pin ermöglicht direkte Spannungserfassung für den Überstromschutz des Gate-Treibers.
  • 1700 VDS ermöglicht den Einsatz mit höherer Busspannung (typischerweise bis zu 1,4 kV).

    • Technische Merkmale

  • Hohe Leistungsdichte - Footprint
  • Betrieb bei hoher Sperrschichttemperatur (175 °C)
  • Konstruktion mit niedriger Induktivität (6,7 nH)
  • Implementiert Wolfspeeds SiC-MOSFET-Technologie der dritten Generation
  • Isolator aus Siliziumnitrid und Grundplatte aus Kupfer
  • 1700 V Drain-Source-Spannung
  • Cross-pin Gate-Source Signal Pinout

    • Gezielte Anwendungen

  • Energie
  • Medizinische
  • Motor- und Bewegungssteuerung
  • Test- und Produktionsausrüstung
  • Transport
  • Traktions-Wechselrichter

    • Unterstützung für Energie- und Leistungsdesign

    Geben Sie uns die Möglichkeit, Ihr Projekt zu bewerten und Ihre Vision schneller auf den Markt zu bringen.

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    Über unser Expertenteam

    Unser Team aus weltweit tätigen Anwendungsingenieuren steht für Ihre Fragen zur Verfügung, um sicherzustellen, dass Ihr Entwurf für ein Energieumwandlungs- oder Energiespeichersystem Ihre Leistungserwartungen erfüllt. Wenn Sie von Silizium auf Galliumnitrid (GaN) oder Siliziumkarbid (SiC) umsteigen, helfen wir Ihnen, das richtige Schaltgerät zu finden, um die Leistungsdichte und den höheren Wirkungsgrad zu erreichen, die Ihre Anwendung erfordert.
     
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