Innoscience - INN650D080BS

Auf Lager: Innoscience 650V, 29A GaN-on-Si Leistungstransistor in DFN, 8 x 8 Gehäuse
RFPD
INN650D080BS: 650 V, 29 A GaN-on-Si-Leistungstransistor 

INN650D080BS: 650 V, 29 A GaN-on-Si-Leistungstransistor 

650V GaN-on-Silicon Enhancement-mode Leistungstransistor im Dual Flat No-lead Gehäuse (DFN) mit 8 mm × 8 mm Größe.
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  • Eigenschaften
  • Transistor im Anreicherungsmodus - Normalerweise ausgeschalteter Leistungsschalter
  • Ultrahohe Schaltfrequenz
  • Keine Umkehrung der Steuerschuldnerschaft
  • Niedrige Gate-Ladung, niedrige Ausgangsladung
  • Qualifiziert für industrielle Anwendungen gemäß JEDEC-Standards
  • ESD-Schutz
  • RoHS, Pb-frei, REACH-konform
  • Details zur Konstruktion
  • AC-DC-Wandler
  • DC-DC-Wandler
  • BCM/DCM Totempfahl PFC
  • Schnelles Aufladen der Batterie
  • Energieumwandlung mit hoher Dichte
  • Hocheffiziente Energieumwandlung
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  • Spezifikationen
Parameter
Wert
VDS,max
650V
RDS(on),max @ VGS = 6 V
80mΩ
QG,typ @ VDS = 400 V
6,2nC
ID,Impuls
58A
QOSS @ VDS = 400 V
60nC
Qrr @ VDS = 400 V
0nC

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Über unser Expertenteam

Unser Team aus weltweit tätigen Anwendungsingenieuren steht für Ihre Fragen zur Verfügung, um sicherzustellen, dass Ihr Entwurf für ein Energieumwandlungs- oder Energiespeichersystem Ihre Leistungserwartungen erfüllt. Wenn Sie von Silizium auf Galliumnitrid (GaN) oder Siliziumkarbid (SiC) umsteigen, helfen wir Ihnen, das richtige Schaltgerät zu finden, um die Leistungsdichte und den höheren Wirkungsgrad zu erreichen, die Ihre Anwendung erfordert.
 
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