InnoscienceDie bei Richardson RFPD erhältliche Familie integrierter 700V-Bauelemente kombiniert Leistungs-GaN-HEMT, Treiber, Strommessfunktionen und andere Funktionen in einem einzigen, dem Industriestandard entsprechenden 6x8mm QFN-Gehäuse.
Das 700V ISG610x SolidGaN™ Bauelemente decken einen Rds(on)-Bereich von typisch 100mΩ (max. 140mΩ) bis typisch 320mΩ (max. 450mΩ) ab und sparen dadurch Leiterplattenplatz und Stückzahl, während sie gleichzeitig die Effizienz erhöhen und das Design für Anwendungen wie USB-PD-Ladegeräte, LED-Beleuchtung, AC/DC-Stromversorgungen und PFC-, QR-Flyback-, ACF- und LLC-Wandler vereinfachen.
ISG610X - Leistungsstarke SolidGaN™
Der ISG610X ist ein leistungsstarker SolidGaN™ IC, der einen 700-V-E-Mode-GaN-FET mit einem Hochspannungs-Linearregler, einem intelligenten Gate-Treiber und einer präzisen, verlustfreien Strommessschaltung integriert. Der lineare Hochspannungsregler mit einer Eingangsleistung von bis zu 80 V macht externe Spannungsregler überflüssig und sorgt für eine streng geregelte Gate-Treiberspannung von 6 V für den integrierten GaN-FET. Der integrierte intelligente Gate-Treiber bietet ein Gate-Ansteuerungsschema mit zwei Anstiegsgeschwindigkeiten und passt die Gate-Einschalt-Anstiegsgeschwindigkeit an, um einen Hochfrequenzbetrieb, eine hohe Leistungseffizienz und eine geringe EMI-Leistung zu erreichen. Die verlustfreie Strommessschaltung macht externe Strommesswiderstände überflüssig und erhöht die Energieeffizienz des Systems.
Der ISG610X bietet einen autonomen Standby-Modus mit sanftem Übergang und minimiert den Ruhestrom bei Null-Last-Zustand. Zu den weiteren Merkmalen gehören ein 5V-LDO, der externe digitale Isolatoren, UVLO, OCP und OTP-Schutz versorgt. Seine Funktionsweise lässt sich am besten anhand des Funktionsblockdiagramms nachvollziehen.
- Bewegen Sie den Mauszeiger, um mehr zu erfahren
