Wolfspeed 650V MOSFETs

Von Wolfspeed

Wolfspeed 650V MOSFETs

Die branchenweit niedrigsten Leitungs- und Schaltverluste ermöglichen eine kleinere, leichtere und hocheffiziente Leistungsumwandlung.

Die 650V-MOSFET-Technologie der 3. Generation von Wolfspeed ist für Hochleistungsanwendungen in der Leistungselektronik optimiert, z. B. für Serverstromversorger, Ladesysteme für Elektrofahrzeuge, Energiespeichersysteme, USV, Solar(PV)-Wechselrichter und Unterhaltungselektronik.

Im Vergleich zu Silizium ermöglichen die 650-V-SiC-MOSFETs von Wolfspeed:

Vorteile

  • Verbessert die Systemeffizienz durch geringere Schalt- und Leitungsverluste
  • Ermöglicht Betrieb mit hoher Schaltfrequenz
  • Verbessert die Leistungsdichte auf Systemebene
  • Reduziert Größe, Gewicht und Kühlungsanforderungen des Systems
  • Ermöglicht neue harte Schalttopologien (Totem-Pole PFC)
  • Eigenschaften

  • Niedriger Durchlasswiderstand über die Temperatur
  • Geringe parasitäre Kapazität
  • Schnelle Diode mit ultraniedriger Sperrdrehzahl
  • Betrieb bei hohen Temperaturen (TJ = 175 °C)
  • Kelvin-Quellstift
  • Industriestandardgehäuse für Durchsteckmontage und SMT
  • Wolfspeed Ausgewählte Produkte

    Teil Nummer
    Blockierspannung (V)
    RDS(on)(mΩ)
    (ID) @ 25°C (A)
    Paket
    Proben
    C3M0015065K
    650
    15 mΩ
    120
    TO-247-4
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    C3M0015065D
    650
    15 mΩ
    120
    TO-247-3
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    C3M0025065D
    650
    25 mΩ
    97
    TO-247-3
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    C3M0025065K
    650
    25 mΩ
    97
    TO-247-4
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    C3M0045065K
    650
    45 mΩ
    49
    TO-247-4
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    C3M0060065K
    650
    60 mΩ
    37
    TO-247-4
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    C3M0060065D
    650
    60 mΩ
    37
    TO-247-3
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    C3M0060065J
    650
    60 mΩ
    37
    TO-263-7
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    C3M0120065D
    650
    120 mΩ
    22
    TO-247-3
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    C3M0120065K
    650
    120 mΩ
    22
    TO-247-4
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    C3M0120065J
    650
    120 mΩ
    21
    TO-263-7
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    Wolfspeed 650V MOSFETs: Zugehörige Produkte

    C5D50065D

    Wolfspeed

    50A, 650V SiC-Schottky-Diode
    TO-247-3-Gehäuse

    Die Kombination von Wolfspeed-SiC-Dioden mit SiC-MOSFETs bietet eine leistungsstarke Kombination aus höherem Wirkungsgrad und niedrigeren Bauteilpreisen, wenn sie zusammen gekauft werden.

    650V SiC-Schottky-Dioden

    Wolfspeed

    6. Generation

    Die neueste C6D-Technologie bietet den geringsten Vorwärtsspannungsabfall (VF = 1,27 V @ 25°C), was sich erheblich auf die Reduzierung der Leitungsverluste auswirkt und eine extrem hohe Effizienz und Leistungsdichte auf Systemebene in den anspruchsvollsten Leistungswandlungsanwendungen ermöglicht.

    ADUM4121-1CRIZ

    Analoge Geräte

    Isolierter Hochspannungs-Gate-Treiber mit interner Miller-Klemme, 2A-Ausgang, 11,3V UVLO

    Der ADuM4121-1CRIZ ist ein isolierter 2A-Einkanaltreiber, der die iCoupler®-Technologie von Analog Devices für eine präzise Isolierung nutzt.

    CRD-06600FF065N

    Wolfspeed

    6,6 kW hohe Leistungsdichte, bidirektional
    EV-Bordladegerät

    Das Demo-Board besteht aus einer bidirektionalen Totem-Pole-PFC-Stufe (AC/DC) und einer isolierten bidirektionalen DC/DC-Stufe, die auf einer CLLC-Topologie mit quasi-konstanter Zwischenkreisspannung basiert.

    BAUSATZ-CRD-3DD065P

    Wolfspeed

    BAUSATZ-CRD-3DD065P

    Bewerten und optimieren Sie die stationäre und dynamische Hochgeschwindigkeits-Schaltleistung der neuesten (C3M) 650-V-SiC-MOSFETs und der 6. Generation (C6D) 650-V-SiC-Schottky-Dioden von Wolfspeed.

    CRD-02AD065N

    Wolfspeed

    2,2 kW Hocheffizienter (80+ Titanium) brückenloser Totem-Pol-PFC mit SiC-MOSFET

    Das Referenzdesign bietet eine hocheffiziente und kostengünstige Lösung für eine brückenlose 2,2-kW-Totem-Pole-PFC-Topologie auf der Grundlage von 650-V-60-mΩ-SiC-MOSFETs.

    CRD-06600FF065N

    Wolfspeed

    6,6 kW Hochfrequenz-DC/DC-Wandler

    Das Demo-Board besteht aus einer DC-DC LLC-Topologie, bei der die Primärseite auf einer Vollbrückenstufe und die Sekundärseite auf einer asynchronen Gleichrichterstufe basiert.

    Unterstützung für Energie- und Leistungsdesign

    Geben Sie uns die Möglichkeit, Ihr Projekt zu bewerten und Ihre Vision schneller auf den Markt zu bringen.

    Über unser Expertenteam

    Unser Team aus weltweit tätigen Anwendungsingenieuren steht für Ihre Fragen zur Verfügung, um sicherzustellen, dass Ihr Entwurf für ein Energieumwandlungs- oder Energiespeichersystem Ihre Leistungserwartungen erfüllt. Wenn Sie von Silizium auf Galliumnitrid (GaN) oder Siliziumkarbid (SiC) umsteigen, helfen wir Ihnen, das richtige Schaltgerät zu finden, um die Leistungsdichte und den höheren Wirkungsgrad zu erreichen, die Ihre Anwendung erfordert.