Jetzt verfügbar: Neue 2300 V Wolfspeed WolfPACK™ Siliziumkarbid-Leistungsmodule

Wolfspeed WolfPACK™-Module sind eine hervorragende Wahl für Entwickler, die Effizienz und Leistungsdichte in einem kompakten, dem Industriestandard entsprechenden Gehäuse erhöhen möchten.

Wolfspeed hat eine grundplattenlose Modulfamilie auf den Markt gebracht, die die Anforderungen von Anwendungen mit mittlerer Leistung erfüllt und Lösungen für die gesamte Leistungselektronik bietet. Wolfspeed WolfPACK™-Module sind eine gute Wahl für Entwickler, die Effizienz und Leistungsdichte in einer kompakten, dem Industriestandard entsprechenden Bauform erhöhen möchten.

Wolfspeed

Neu! 2300 V WolfPACK™ Leistungsmodule

Sie wurden speziell für 1500-V-Busanwendungen entwickelt und ermöglichen den Wechsel von einer IGBT-basierten Drei-Ebenen-Architektur zu einem vereinfachten 2-Ebenen-Leistungsumwandlungssystem.

Wolfspeed

1200 V WolfPACK™ Leistungsmodule

Entwickelt, um eine hervorragende Lösung für schnelle Designimplementierung, Skalierbarkeit, langfristige Designunterstützung und geringeren Montageaufwand zu bieten.

Wolfspeed

Bewertungsinstrumente

Wolfspeed bietet eine breite Palette von Evaluierungskits an, die Ihnen helfen, die Fähigkeiten unserer diskreten Siliziumkarbid- und Modulgehäuse besser zu verstehen.

WolfPACK™-Module von Wolfspeed

Wichtigste Vorteile

  • Maximale Leistungsdichte
  • Einfaches Layout und einfache Montage
  • Skalierbarkeit und Zuverlässigkeit des Systems
  • Einfachere Kühlsysteme und kleinere Systeme
  • Wesentliche Merkmale

  • Führende Siliziumkarbid-MOSFET-Technologie in einem Industriestandard-Formfaktor
  • Topologien mit der höchsten Stromstärke, die auf dem Markt erhältlich sind
  • Eingebauter NTC
  • Presssitzverbindungen
  • Wolfspeed WolfPACK™-Module sind derzeit in Half-Bridge- und Six-Pack-Konfigurationen erhältlich.

    Neu! 2300 V WolfPACK™ Module von Wolfspeed

    Die 2300 V WolfPACK™ Siliziumkarbid-Leistungsmodule von Wolfspeed wurden speziell für 1500 V-Busanwendungen entwickelt und ermöglichen den Wechsel von einer IGBT-basierten Drei-Level-Architektur zu einem vereinfachten 2-Level-Leistungswandlungssystem. Diese Lösung senkt die Entwicklungszeit und die Kosten erheblich, da das Systemdesign von einer herkömmlichen Stromschiene auf kostengünstigere Leiterplatten verlagert wird.

    Teil Nummer
    Paket (V)
    Konfiguration
    Blockierspannung
    Aktuelle Bewertung
    RDS(ein) @ 25°C
    Generation
    Maximale Sperrschichttemperatur
    Modul Größe
    Empfohlen für neues Design?
    CAB5R0A23GM4T
    GM
    Halbbrücke (AlN-Substrat)
    2300 V
    200 A
    5 mΩ
    Gen 4 MOS
    150 °C
    62,8 mm x 56,7 mm
    Ja
    CAB5R0A23GM4
    GM
    Halbbrücke (AlN-Substrat)
    2300 V
    200 A
    5 mΩ
    Gen 4 MOS
    150 °C
    62,8 mm x 56,7 mm
    Ja
    CAB6R0A23GM4
    GM
    Halbbrücke (AlN-Substrat)
    2300 V
    200 A
    6 mΩ
    Gen 4 MOS
    150 °C
    62,8 mm x 56,7 mm
    Ja
    CAB6R0A23GM4T
    GM
    Halbbrücke (AlN-Substrat)
    2300 V
    200 A
    6 mΩ
    Gen 4 MOS
    150 °C
    62,8 mm x 56,7 mm
    Ja
    CAB7R5A23GM4T
    GM
    Halbbrücke (AlN-Substrat)
    2300 V
    170 A
    7,5 mΩ
    Gen 4 MOS
    150 °C
    62,8 mm x 56,7 mm
    Ja
    CAB7R5A23GM4
    GM
    Halbbrücke (AlN-Substrat)
    2300 V
    170 A
    7,5 mΩ
    Gen 4 MOS
    150 °C
    62,8 mm x 56,7 mm
    Ja

    1200 V WolfPACK™-Module von Wolfspeed

    Teil Nummer
    Paket (V)
    Konfiguration
    Blockierspannung
    Aktuelle Bewertung
    RDS(ein) @ 25°C
    Generation
    Maximale Sperrschichttemperatur
    Modul Größe
    Empfohlen für neues Design?
    CAB011A12GM3T
    GM
    Halbbrücke
    1200V
    141A
    11mΩ
    Gen 3 MOS
    150 °C
    62,8 mm x 56,7 mm
    Ja
    CAB006M12GM3
    GM3
    Halbbrücke
    1200 V
    200 A
    6 mΩ
    Gen 3 MOS
    150 °C
    62,8 x 56,7 mm
    Ja
    CAB006A12GM3
    GM3
    Halbbrücke (AIN-Substrat)
    1200 V
    200 A
    6 mΩ
    Gen 3 MOS
    150 °C
    62,8 x 56,7 mm
    Ja
    CAB006M12GM3T
    GM3
    Halbbrücke
    1200 V
    200 A
    6 mΩ
    Gen 3 MOS
    150 °C
    62,8 x 56,7 mm
    Ja
    CAB006A12GM3T
    GM3
    Halbbrücke (AlN-Substrat)
    1200 V
    200 A
    6 mΩ
    Gen 3 MOS
    150 °C
    62,8 x 56,7 mm
    Ja
    CAB008A12GM3
    GM3
    Halbbrücke (AIN-Substrat)
    1200 V
    194 A
    8 mΩ
    Gen 3 MOS
    150 °C
    62,8 x 56,7 mm
    Ja
    CAB008M12GM3
    GM3
    Halbbrücke
    1200 V
    146 A
    8 mΩ
    Gen 3 MOS
    150 °C
    62,8 x 56,7 mm
    Ja
    CAB008M12GM3T
    GM3
    Halbbrücke
    1200 V
    160 A
    8 mΩ
    Gen 3 MOS
    150 °C
    62,8 x 56,7 mm
    Ja
    CAB008A12GM3T
    GM3
    Halbbrücke
    1200 V
    181 A
    8 mΩ
    Gen 3 MOS
    150 °C
    62,8 x 56,7 mm
    Ja
    CAB011M12FM3
    FM3
    Halbbrücke
    1200 V
    105 A
    11 mΩ
    Gen 3 MOS
    150 °C
    62,8 x 33,8 mm
    Ja
    CAB011M12FM3T
    FM3
    Halbbrücke
    1200 V
    117 A
    11 mΩ
    Gen 3 MOS
    150 °C
    62,8 mm x 33,8 mm
    Ja
    CAB016M12FM3
    FM3
    Halbbrücke
    1200 V
    78 A
    16 mΩ
    Gen 3 MOS
    150 °C
    62,8 x 33,8 mm
    Ja
    CAB016M12FM3T
    FM3
    Halbbrücke
    1200 V
    84 A
    16 mΩ
    Gen 3 MOS
    150 °C
    62,8 mm x 33,8 mm
    Ja
    CCB021M12FM3
    FM3
    Six-Pack (dreiphasig)
    1200 V
    51 A
    21 mΩ
    Gen 3 MOS
    150 °C
    62,8 x 33,8 mm
    Ja
    CBB021M12FM3
    FM3
    Vollbrücke
    1200 V
    50 A
    21 mΩ
    Gen 3 MOS
    150 °C
    62,8 mm x 33,8 mm
    Ja
    CCB021M12FM3T
    FM3
    Six-Pack (dreiphasig)
    1200 V
    30 A
    21 mΩ
    Gen 3
    150 °C
    62,8 mm x 33,8 mm
    Ja
    CBB021M12FM3T
    FM3
    Vollbrücke
    1200 V
    48 A
    21 mΩ
    Gen 3 MOS
    150 °C
    62,8 mm x 33,8 mm
    Ja
    CCB032M12FM3
    FM3
    Six-Pack (dreiphasig)
    1200 V
    40 A
    32 mΩ
    Gen 3 MOS
    150 °C
    62,8 x 33,8 mm
    Ja
    CBB032M12FM3
    FM3
    Vollbrücke
    1200 V
    39 A
    32 mΩ
    Gen 3 MOS
    150 °C
    62,8 mm x 33,8 mm
    Ja
    CCB032M12FM3T
    FM3
    Six-Pack (dreiphasig)
    1200 V
    30 A
    32 mΩ
    Gen 3 MOS
    150 °C
    62,8 mm x 33,8 mm
    Ja
    CBB032M12FM3T
    FM3
    Vollbrücke
    1200 V
    37 A
    32 mΩ
    Gen 3 MOS
    150 °C
    62,8 mm x 33,8 mm
    Ja

    Bewertungs-Tools von Wolfspeed

    Dynamisches Charakterisierungstool, das zur Bewertung und Optimierung der Schaltleistung der WolfPACK SiC-Halbbrücken-Leistungsmodule von Wolfspeed - CAB011M12FM3 und CAB016M12FM3 - verwendet werden kann.

    Das EVAL-ADuM4146WHB1Z ist eine Halbbrücken-Gate-Treiberplatine, die eine einfache Bewertung der Leistung des ADuM4146 bei der Ansteuerung fortschrittlicher Wolfspeed C3M™ SiC-MOSFETs der dritten Generation und Leistungsmodule ermöglicht. Verwenden Sie es in Verbindung mit Wolfspeeds Testboards mit geklemmter induktiver Last oder Halbbrücken-Evaluierungsboards und differentiellen Transceiver-Boards.

    Dynamisches Charakterisierungstool, das zur Bewertung und Optimierung der Schaltleistung der WolfPACK SiC-Halbbrücken-Leistungsmodule von Wolfspeed - CAB011M12FM3 und CAB016M12FM3 - verwendet werden kann.

    Dynamisches Charakterisierungstool, das zur Bewertung und Optimierung der Schaltleistung von Wolfspeeds WolfPACK SiC-Sixpack-Leistungsmodulen (dreiphasig) - CCB021M12FM3 und CCB032M12FM3 - verwendet werden kann.
    Dynamisches Charakterisierungstool, das zur Bewertung und Optimierung der Schaltleistung von Wolfspeed's WolfPACK™ SiC-Halbbrücken-Leistungsmodulen im GM3-Modul-Footprint verwendet werden kann, einschließlich aller Teilenummern mit einem 'GM' in den letzten drei Ziffern der Teilenummer und einem 'A' in der zweiten Ziffer (Beispiel: CAB006M12GM3)

    Zusätzliche Ressourcen

    23. September 2024
    Industrielle Elektromotoren, einschließlich industrieller Niederspannungsmotoren, Servoantriebe, Wärmepumpen und Klimaanlagen, verbrauchen zusammen mehr als 45 % des gesamten jährlichen weltweiten Stromverbrauchs.
    Die Wolfspeed-Familie der WolfPACK™-Module von Richardson RFPD bietet ein Leistungsportfolio, das ein breites Spektrum an Anwendungen für die heutigen Entwickler abdeckt.

    Unterstützung für Energie- und Leistungsdesign

    Geben Sie uns die Möglichkeit, Ihr Projekt zu bewerten und Ihre Vision schneller auf den Markt zu bringen.

    Über unser Expertenteam

    Unser Team aus weltweit tätigen Anwendungsingenieuren steht für Ihre Fragen zur Verfügung, um sicherzustellen, dass Ihr Entwurf für ein Energieumwandlungs- oder Energiespeichersystem Ihre Leistungserwartungen erfüllt. Wenn Sie von Silizium auf Galliumnitrid (GaN) oder Siliziumkarbid (SiC) umsteigen, helfen wir Ihnen, das richtige Schaltgerät zu finden, um die Leistungsdichte und den höheren Wirkungsgrad zu erreichen, die Ihre Anwendung erfordert.