RFPD
Skyworks Isolierte Treiber für GaN

Skyworks Isolierte Treiber für GaN

3. August 2023

Skyworks

Galliumnitrid, Gate-Treiber

Dieser Tech-Chat konzentriert sich auf einige der einzigartigen Merkmale der Ansteuerung von Galliumnitrid (GaN)-Leistungs-FETs. Dazu gehören die kritischsten Parameter für die Auswahl eines isolierten Treibers für GaN-Leistungstransistoren, warum eine kurze Totzeit bei GaN-Schaltanwendungen besonders wichtig ist und ob Treiber bei Schaltfrequenzen von mehr als 500 kHz funktionieren können.

Verwandte Seiten Inhalt
Energiespeicherung und Energieumwandlung

Si82xx Isolierte Gate-Treiber der nächsten Generation

Der Bedarf an robusten Gate-Treibern nimmt zu. Wechselrichter, Umrichter und Motoren erfordern eine präzise Gate-Ansteuerung, einen hohen Wert und eine große Flexibilität. Die Si82Ax-Fx-Familien von Skyworks bieten all dies und mehr...

READ MORE "
Februar 20, 2025

Unterstützung für Energie- und Leistungsdesign

Geben Sie uns die Möglichkeit, Ihr Projekt zu bewerten und Ihre Vision schneller auf den Markt zu bringen.

Fragen Sie einen Experten

Über unser Expertenteam

Unser Team aus weltweit tätigen Anwendungsingenieuren steht für Ihre Fragen zur Verfügung, um sicherzustellen, dass Ihr Entwurf für ein Energieumwandlungs- oder Energiespeichersystem Ihre Leistungserwartungen erfüllt. Wenn Sie von Silizium auf Galliumnitrid (GaN) oder Siliziumkarbid (SiC) umsteigen, helfen wir Ihnen, das richtige Schaltgerät zu finden, um die Leistungsdichte und den höheren Wirkungsgrad zu erreichen, die Ihre Anwendung erfordert.
 
Richardson RFPD Logo

Hilfreich Links