Dieser Tech-Chat konzentriert sich auf einige der einzigartigen Merkmale der Ansteuerung von Galliumnitrid (GaN)-Leistungs-FETs. Dazu gehören die kritischsten Parameter für die Auswahl eines isolierten Treibers für GaN-Leistungstransistoren, warum eine kurze Totzeit bei GaN-Schaltanwendungen besonders wichtig ist und ob Treiber bei Schaltfrequenzen von mehr als 500 kHz funktionieren können.
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