Konstrukteure von Hochspannungsstromversorgungssystemen haben bei der Verwendung von Silizium-MOSFETs und -IGBTs damit zu kämpfen, die Anforderungen der Kunden nach kontinuierlicher Innovation zu erfüllen. Die gewünschte Zuverlässigkeit ist oft nicht ohne Einbußen bei der Effizienz möglich, und auch die heutigen Anforderungen an Größe, Gewicht und Kosten können mit siliziumbasierten Lösungen nicht erfüllt werden. Mit dem Aufkommen der Hochspannungs-MOSFETs aus Siliziumkarbid (SiC) haben die Entwickler nun jedoch die Möglichkeit, die Leistung zu verbessern und gleichzeitig alle anderen Herausforderungen zu lösen.
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