Zu den vielversprechendsten Technologien bei der Dekarbonisierung emissionsintensiver Verkehrsmittel gehören SiC-basierte Power-Management-Lösungen, die von konfigurierbarer digitaler Gate-Treiber-Technologie unterstützt werden.
Die hohen Leistungs- und Spannungsanforderungen von Elektrofahrzeugen aller Art, einschließlich Elektrobussen und anderen Stromversorgungssystemen, erfordern die höhere Effizienz der Siliziumkarbid-Technologie (SiC), um ältere Silizium-Feldeffekttransistoren (FETs) und Isolierschicht-Bipolartransistoren (IGBTs) zu ersetzen.
Diese Kombination bietet einen deutlich besseren Wirkungsgrad als Silizium bei der Elektrifizierung einiger der weltweit größten Quellen von Treibhausgasemissionen, gemessen in Teragramm (Tg): Busse (22,2), Schienenfahrzeuge (37,6) sowie mittelschwere und schwere Lastkraftwagen (444). Wichtige Systeme in diesen Nutzfahrzeugen - wie das Hilfsaggregat (APU) in einem Zug oder Bus - können durch den Einsatz von SiC-MOSFETs mit digitalen Gate-Treibern verkleinert und mit höherer Effizienz und Zuverlässigkeit zu geringeren Kosten betrieben werden, um aus der geringsten Energiemenge die höchste Produktivität herauszuholen.
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