Die Verwendung von Siliziumkarbid-MOSFETs (SiC) hat eine hocheffiziente Energieversorgung für eine Vielzahl von Anwendungen ermöglicht, z. B. für das schnelle Aufladen von Elektrofahrzeugen, Stromversorgungen, erneuerbare Energien und Netzinfrastruktur. Obwohl ihre Leistung besser ist als die herkömmlicher Silizium-MOSFETs und Isolierschicht-Bipolartransistoren (IGBTs), sind die Ansteuerungsmethoden etwas anders und müssen während des Entwurfsprozesses sorgfältig berücksichtigt werden.
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