In diesem White Paper wird die vierte Generation der Siliziumkarbid (SiC)-MOSFET-Technologie von Wolfspeed vorgestellt, die für Hochleistungselektronikanwendungen entwickelt wurde. Aufbauend auf einer langen Tradition von SiC-Innovationen hat Wolfspeed regelmäßig innovative Technologielösungen vorgestellt, die neue Maßstäbe in der Branche setzen. Die SiC-MOSFETs der dritten Generation haben bereits vor der Einführung von Gen 4 wichtige Designelemente für ein breites Spektrum von Anwendungsfällen ausgeglichen und einen Maßstab für eine abgerundete Leistung bei hart schaltenden Anwendungen gesetzt.
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Wolfspeed Gen 4 MOSFETs: Leistung für den realen Einsatz mit Effizienz der nächsten Generation
Wolfspeed hat seine Technologieplattform der vierten Generation vorgestellt, die für bahnbrechende Leistung, Langlebigkeit und Effizienz bei Hochleistungsanwendungen entwickelt wurde.
Entwerfen mit oberseitengekühlten (TSC) Siliziumkarbid-Leistungsbauelementen
Wolfspeed erweitert nun die Systemdesign-Optionen durch die kommerzielle Freigabe eines bekannten
bekanntes, von oben gekühltes Gehäuse für den Automobil- und Industriemarkt auf den Markt bringt.

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