Siliziumkarbid-Technologie der Generation 4: Neudefinition von Leistung und Langlebigkeit in High-Power-Anwendungen

Siliziumkarbid-Technologie der Generation 4: Neudefinition von Leistung und Langlebigkeit in High-Power-Anwendungen

6. Februar 2025

Siliziumkarbid

In diesem White Paper wird die vierte Generation der Siliziumkarbid (SiC)-MOSFET-Technologie von Wolfspeed vorgestellt, die für Hochleistungselektronikanwendungen entwickelt wurde. Aufbauend auf einer langen Tradition von SiC-Innovationen hat Wolfspeed regelmäßig innovative Technologielösungen vorgestellt, die neue Maßstäbe in der Branche setzen. Die SiC-MOSFETs der dritten Generation haben bereits vor der Einführung von Gen 4 wichtige Designelemente für ein breites Spektrum von Anwendungsfällen ausgeglichen und einen Maßstab für eine abgerundete Leistung bei hart schaltenden Anwendungen gesetzt.

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Unser Team aus weltweit tätigen Anwendungsingenieuren steht für Ihre Fragen zur Verfügung, um sicherzustellen, dass Ihr Entwurf für ein Energieumwandlungs- oder Energiespeichersystem Ihre Leistungserwartungen erfüllt. Wenn Sie von Silizium auf Galliumnitrid (GaN) oder Siliziumkarbid (SiC) umsteigen, helfen wir Ihnen, das richtige Schaltgerät zu finden, um die Leistungsdichte und den höheren Wirkungsgrad zu erreichen, die Ihre Anwendung erfordert.