Dioden, Transistoren und Thyristoren
Während Galliumnitrid und Siliziumkarbid zu den Trendtechnologien gehören, die Richardson RFPD vollständig unterstützt, erkennen wir auch den ständigen Bedarf unserer Kunden an Silizium-IGBTs (Insulated Gate Bipolar Transistors), HVIGBTs, Gleichrichtern und Thyristoren. Über unser Partnernetzwerk können wir auch Ihre Anforderungen an kundenspezifische Leistungsmodule und Baugruppen erfüllen. Wählen Sie Produkte der Branchenführer Electronic Devices (EDI), Hitachi Energy, Microchip, Mitsubishi (nur Amerika), Powerex, Semikron, Vincotech und Wayon.
Wir führen und unterstützen die folgenden Produkte Dioden, Transistoren und Thyristoren
Hitachi Energie
Die neuen 1200-V-LoPak-Module tragen die gleiche DNA für hohe Zuverlässigkeit und Robustheit wie die gesamte Familie der Hochleistungs-Halbleiter von Hitachi ABB Power Grids.
- Speziell behandelte Cu-Grundplatte, kontrollierte Wölbung und reduzierter Luftspalt zum Kühlkörper
- Abstandshalter für Substratlot, homogene Lotdicke und weniger Delamination
- Einpress-Hilfsanschlüsse Einpress-Hilfsstifte ermöglichen eine lötfreie Verbindung zur Gate-Treiber-Platine
Ausgewählte Hersteller Dioden, Transistoren und Thyristoren
