Dioden, Transistoren und Thyristoren
Während Galliumnitrid und Siliziumkarbid Trendtechnologien sind, die Richardson RFPD voll und ganz unterstützt, sind wir uns auch des anhaltenden Bedarfs unserer Kunden an Silizium-IGBTs (Insulated Gate Bipolar Transistors), HVIGBTs, Gleichrichtern und Thyristoren bewusst. Über unser Netzwerk von Allianzpartnern können wir auch Ihre Anforderungen an kundenspezifische Leistungsmodule und Baugruppen erfüllen. Wählen Sie Produkte von Branchenführern wie Electronic Devices EDI), Hitachi Energy, Microchip, Mitsubishi (nur Amerika), Powerex, Semikron, Vincotech und Wayon.
Wir führen und unterstützen die folgenden Produkte Dioden, Transistoren und Thyristoren
Hitachi Energy
Die neuen 1200-V-LoPak-Module tragen die gleiche DNA für hohe Zuverlässigkeit und Robustheit wie die gesamte Familie der Hochleistungs-Halbleiter von Hitachi ABB Power Grids.
- Speziell behandelte Cu-Grundplatte, kontrollierte Wölbung und reduzierter Luftspalt zum Kühlkörper
- Abstandshalter für Substratlot, homogene Lotdicke und weniger Delamination
- Einpress-Hilfsanschlüsse Einpress-Hilfsstifte ermöglichen eine lötfreie Verbindung zur Gate-Treiber-Platine
Ausgewählte Hersteller Dioden, Transistoren und Thyristoren
