Kürzere Markteinführungszeiten mit Plug-and-Play mSiC™ Gate-Treibern

Die Elektrifizierung aller Bereiche macht es erforderlich, die Leistung, Zuverlässigkeit und Kosten von Systemen zu verbessern. Die Grenzen von Silizium-Bauelementen treiben die Einführung von Technologien mit breiter Bandlücke wie Siliziumkarbid (SiC) voran, um diesen Herausforderungen zu begegnen. SiC bietet zwar eine Reihe von Vorteilen, birgt aber auch eine Reihe von Designproblemen, wie z. B. elektromagnetische Störungen (EMI), Überhitzung und Überspannungen, die durch die Auswahl des richtigen Gate-Treibers gelöst werden können.

Da die SiC-Technologie in Mittel- und Hochspannungsanwendungen weit verbreitet ist, wird das Systemdesign immer komplexer und kann zeitaufwändiger sein, was die Markteinführung erheblich verzögern kann. Diese Herausforderungen lassen sich mit der Plug-and-Play mSiC™ Gate Driver-Familie von Microchip gut bewältigen, die als schlüsselfertige Lösung entwickelt wurde und "sofort einsatzbereit" ist.

Wichtigste Erkenntnisse

• Entdecken Sie die Vorteile eines Plug-and-Play-Gate-Treibers
• Lernen Sie die Design- und Leistungsvorteile des Plug-and-Play mSiC™ Gate Driver kennen
• Untersuchen Sie, was diese Gatetreiberfamilie von anderen verfügbaren Optionen unterscheidet Entdecken Sie die 3,3 kV Plug-and-Play mSiC™ Gatetreiberfamilie

Sprecher

Pradeep Kulkarni, Produktmarketing-Manager, Geschäftseinheit Siliziumkarbid, MISUMI

Pradeep Kulkarni ist Produktmarketingmanager des Geschäftsbereichs Siliziumkarbid von Microchip mit Sitz in Bangalore, Indien. Er leitet die Marketingaktivitäten für die mSIC™ Gate Drivers des Unternehmens. Pradeep verfügt über mehr als 13 Jahre Erfahrung bei anderen führenden Leistungshalbleiterunternehmen in den Bereichen Produktmanagement, Produktmarketing und Geschäftsentwicklung. Er hat einen Bachelor of Engineering in Elektronik von der Universität Mumbai und einen EMBA in Product Leadership von der CMR University.