Erfahren Sie, wie Phased-Array-Antennen, Beamforming und fortschrittliche Technologien wie GaN-on-SiC die Satellitenkommunikation, Radartechnik, Avionik und 5G revolutionieren und gleichzeitig für eine höhere Leistung in kleineren, leichteren und kostengünstigeren Systemen sorgen.

Gemeinsam mit Arrow präsentieren wir am Stand C4.420 HF- und Leistungslösungen, unser Know-how im Bereich Design-Support sowie die neuesten Technologien, die Innovationen vorantreiben.

In diesem Webinar wird erläutert, wie Halbleitertransformatoren (SSTs), die 800-V-Gleichstrom-Stromverteilung und Siliziumkarbid-Technologien (SiC) die nächste Generation der KI- und Hyperscale-Rechenzentrumsinfrastruktur ermöglichen.

In diesem Webinar werden Beamforming-Architekturen, GaN-on-SiC-Leistungsverstärker und fortschrittliche HF-Komponenten behandelt, die Phased-Array-, Millimeterwellen- und HF-Systeme der nächsten Generation ermöglichen.

Lernen Sie die Technologie hinter den mmWave-Produkten von Peraso kennen, einschließlich der Grundlagen des mmWave-Beamforming, der Phased-Array-Antennentechnologie und der Ausbreitungseigenschaften.

In einem Podcast mit Clayton Pillion, Vice President von Microchip Technology, und Ehab Tarmoom, Technical Staff Applications Engineer, beide aus dem Geschäftsbereich SiC von Microchip, gehen wir auf die potenziellen Auswirkungen von SiC ein.

Nehmen Sie an diesem Webinar teil, in dem ein Experte von Silicon Carbide erläutert, warum es an der Zeit ist, eingebettete und integrierte Motoren zu modernisieren, um dem Klimawandel zu begegnen.

Nehmen Sie an diesem Webinar teil, in dem Wolfspeed demonstriert, wie Siliziumkarbid die Leistung übertrifft, die Leistungsdichte erhöht und die Gesamtsystemkosten senkt.

Dieses Webinar befasst sich mit den Vorteilen, dem Design und der Leistung von Plug-and-Play-Gate-Treibern. Es wird untersucht, was diese Gatetreiberfamilie von anderen verfügbaren Optionen unterscheidet.

Die Teilnehmer erfahren mehr über die Vorteile von Siliziumkarbid-Bauelementen in Stromversorgungssystemen, warum wir Gate-Treiber für Leistungs-MOSFETs benötigen, Besonderheiten der Ansteuerung von Siliziumkarbid-MOSFETs...