Gate-Antrieb für Siliziumkarbid - Mit geeigneten Gate-Antriebslösungen die beste Leistung aus SiC herausholen

Siliziumkarbid ermöglicht effizientere, kleinere und leistungsfähigere Energieumwandlungssysteme, aber um das Beste aus diesen Geräten mit breiter Bandlücke herauszuholen, muss alles rund um den Schalter sorgfältig ausgewählt werden.

Einer der wichtigsten Teile des Systems ist der Gate-Treiber. Die Gate-Treiberlösung wirkt sich direkt auf die Schalteffizienz des SiC-MOSFETs aus und kann über Funktionen verfügen, die das System zuverlässiger machen, wie Miller Clamp und Kurzschlussschutz.

Von den heute auf dem Markt erhältlichen Schutzfunktionen bis hin zur Robustheit isolierter Gate-Treiber-Lösungen werden in dieser Schulung die Feinheiten des Siliziumkarbidbedarfs in Gate-Treibern, die Vielfalt der verfügbaren Gate-Treiber und die Vorteile der verschiedenen Funktionen, die Gate-Treiber dem Systemdesigner bieten können, vermittelt.

Die Teilnehmer erhalten Informationen über:

• Vorteile von Siliziumkarbid-Bauelementen in Energiesystemen
• Warum wir Gate-Treiber für Leistungs-MOSFETs brauchen
• Besonderheiten der Ansteuerung von Siliziumkarbid-MOSFETs
• Störfestigkeit gegen Gleichtaktstörungen
• Dimensionierung der Gate-Treiber-Stromversorgung und deren Implementierung
• Warum bestimmte Gate-Treiberspannungen empfohlen werden und Anwendungsüberlegungen
• Vorteile zusätzlicher Gate-Treiberfunktionen für das Systemdesign
• Miller-Klemmung, Kurzschlussschutz, Fehlermeldung
• Welche Gate-Treiber je nach Anwendung in Frage kommen, einschließlich des Angebots von Analog Devices
• Verfügbare Ressourcen für die Entwicklung von Siliziumkarbid- und SiC-Gate-Treibern.