Skalierung der KI-Rechenzentrumsinfrastruktur mit Solid-State-Transformatoren

Künstliche Intelligenz führt zu einem beispiellosen Anstieg des Strombedarfs in Rechenzentren und zwingt Betreiber, Energieversorger und Gerätehersteller dazu, herkömmliche Stromverteilungsarchitekturen zu überdenken. Da KI-Cluster an Größe und Dichte zunehmen, stehen ältere, auf Wechselstrom basierende Systeme vor wachsenden Herausforderungen hinsichtlich Effizienzverlusten, Leistungsdichte, Kühlungsanforderungen, Platzmangel und Netzkapazität. Gleichzeitig prüft die Branche neue Ansätze, die mehr Leistung bei höherer Zuverlässigkeit liefern und gleichzeitig die Anzahl der Umwandlungsstufen zwischen dem öffentlichen Stromnetz und dem Prozessor reduzieren können.

In diesem Webinar wird erläutert, wie Festkörpertransformatoren (SSTs), die 800-V-Gleichstrom-Stromverteilung und Siliziumkarbid-Technologien (SiC) die nächste Generation der KI- und Hyperscale-Rechenzentrumsinfrastruktur ermöglichen. Die Teilnehmer erhalten Einblicke in den Branchenwandel von traditionellen Wechselstromarchitekturen hin zu hocheffizienten Gleichstromarchitekturen, in die Vorteile der Reduzierung von Umwandlungsverlusten sowie in die Rolle von Halbleitern mit großer Bandlücke bei der Verbesserung der Leistungsdichte, Skalierbarkeit und Systemleistung.

Die Teilnehmer lernen außerdem die Grundlagen von SST-Architekturen kennen, darunter die Umwandlung von Mittelspannung in 800 V Gleichstrom, isolierte DC-DC-Topologien sowie praktische Überlegungen zur Umsetzung. Ganz gleich, ob Sie Stromversorgungssysteme entwerfen, zukünftige Investitionen in KI-Infrastruktur planen oder Architekturen für Rechenzentren der nächsten Generation evaluieren – diese Veranstaltung bietet umsetzbare Einblicke in Technologien, die dazu beitragen können, die Energieeffizienz zu verbessern, die Betriebskosten zu senken und sich auf den rasch wachsenden Strombedarf der KI vorzubereiten.

Wichtigste Erkenntnisse

• Erfahren Sie, wie KI-getriebenes Wachstum die Energieanforderungen von Rechenzentren grundlegend verändert und neue Herausforderungen in Bezug auf Effizienz, Zuverlässigkeit und Leistungsdichte mit sich bringt.
• Bewerten Sie die Vorteile einer Umstellung von der Wechselstromverteilung auf 800 V Gleichstrom, um Verluste zu reduzieren, die Infrastrukturkosten zu senken und den Gesamtwirkungsgrad vom Netz bis zum Chip zu verbessern.
• Erfahren Sie, wie Siliziumkarbid (SiC)-Technologien höhere Schaltfrequenzen, kompaktere Stromumwandlungssysteme und die für die KI-Strominfrastruktur der nächsten Generation erforderliche Leistung ermöglichen.

Sprecher

Ehab Tarmoom, Technischer Leiter, Microchip Technology

Ehab Tarmoom ist Technologieleiter bei Microchip Technology und verfügt über umfangreiche Erfahrung in den Bereichen Leistungselektronik, Hochspannungs-Leistungsumwandlung und neuartige Anwendungen für die Energieinfrastruktur. Er arbeitet eng mit Kunden und Industriepartnern zusammen, um Lösungen der nächsten Generation für Rechenzentren, industrielle Systeme und fortschrittliche Stromversorgungsarchitekturen zu entwickeln.