10. Juli 2023 – GENEVA, Illinois: Richardson RFPD, Inc., ein Unternehmen der Arrow Electronics-Gruppe, gab heute die Verfügbarkeit und umfassende Design-Support-Leistungen für ein neues Referenzdesign von NXP Semiconductors bekannt.
Der A3G26D055N-100 ist ein bestellbares Referenzdesign für den A3G26D055NT4 von NXP, einen diskreten GaN-HEMT mit einer HF-Leistung von 100-2690 MHz, der in einem 7 mm x 6,5 mm großen, umspritzten Kunststoffgehäuse (DFN) untergebracht ist. Er verfügt über einen unübertroffenen Ausgang, der die Nutzung eines breiten Frequenzbereichs ermöglicht. Der Transistor wurde für Anwendungen in Mobilfunk-Basisstationen entwickelt, die eine große Momentan-Bandbreite erfordern.
Die Schaltung A3G26D055N-100 optimiert den Baustein von 100-2500 MHz, mit 12 W CW und 11 dB Verstärkung, indem sie die Hälfte des Bausteins nutzt. Die kompakte Schaltung (7 cm x 5 cm) kann bei Richardson RFPD bestellt werden, und die Schaltungsinformationen sind von NXP lizenzierbar.
Typische Leistung:
Frequenz (MHz) | Pout | Verstärkung | IRL | Abflusseffizienz | ID |
100 | 14.8 | 11.7 | -2.5 | 85.7 | 0.540 |
1000 | 11.9 | 10.7 | -7.9 | 64.4 | 0.580 |
2000 | 11.7 | 10.7 | -5.2 | 54.8 | 0.670 |
2500 | 10.9 | 10.3 | -4.9 | 52.9 | 0.640 |
VDD = 48 Vdc, IDQ = 45 mA (VGG = ~ -2,7 Vdc), Pin = 1 W, CW
Weitere Informationen und die Möglichkeit, dieses Produkt noch heute online zu erwerben, finden Sie auf der Website von NXP A3G26D055N-100. Das Produkt ist auch unter der Telefonnummer 1-800-737-6937 (innerhalb Nordamerikas) erhältlich, oder Sie finden einen lokalen Vertriebsingenieur (weltweit) unter Local Sales Support. Informationen über weitere Produkte von NXP finden Sie auf der NXP Storefront-Webseite.
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MARK VITELLARO
Direktor für strategisches Marketing
P: 630 262 6800
mvitellaro@richardsonrfpd.com
