Richardson RFPD kündigt Lagerverfügbarkeit des neuen breitbandigen RF 125 W Dauerstrich-GaN-Transistors von NXP an

Richardson RFPD kündigt Lagerverfügbarkeit des neuen breitbandigen RF 125 W Dauerstrich-GaN-Transistors von NXP an

Optimiert für den Breitbandbetrieb bis zu 2700 MHz, mit Eingangsanpassung für erweiterte Bandbreite

NEWS-MITTEILUNG

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20. Juli 2023 - GENEVA, Illinois: Richardson RFPD, Inc., ein Unternehmen von Arrow Electronics, gab heute die Verfügbarkeit und den vollständigen Design-Support für einen neuen Galliumnitrid-HF-Leistungstransistor von NXP Semiconductors bekannt.

Der MMRF5018HSR5 ist ein 125-Watt-HF-Leistungstransistor mit kontinuierlicher Welle, der für den Breitbandbetrieb bis 2700 MHz optimiert ist. Er umfasst eine Eingangsanpassung für eine erweiterte Bandbreitenleistung.

Die wichtigsten Merkmale sind:

  • Hohe Leistungsdichte
  • Jahrzehntelange Bandbreitenleistung
  • Verpackung mit erhöhtem Wärmewiderstand
  • Leistungsverstärkung: 12,0 dB
  • Abflusswirkungsgrad: 64,4% (typ.)
  • Hohe Widerstandsfähigkeit: > 20:1 VSWR

Mit seinen Breitbandfähigkeiten, seiner hohen Verstärkung, Robustheit und Drain-Effizienz bietet der MMRF5018HSR5 eine Komplettlösung für Multiband-Kommunikationsanwendungen. Er ist außerdem vielseitig für eine Reihe von CW-, Puls- und Breitband-HF-Anwendungen einsetzbar.

Ein Evaluation Board ist verfügbar.

Um weitere Informationen zu erhalten oder dieses Produkt noch heute online zu erwerben, besuchen Sie die MMRF5018HSR5-Webseite. Das Produkt ist auch unter der Telefonnummer 1-800-737-6937 (innerhalb Nordamerikas) erhältlich, oder Sie finden einen lokalen Vertriebsingenieur (weltweit) unter Local Sales Support. Informationen über weitere Produkte von NXP finden Sie auf der NXP Storefront-Webseite.

FÜR DETAILS KONTAKTIEREN SIE

MARK VITELLARO
Direktor für strategisches Marketing
P: 630 262 6800
mvitellaro@richardsonrfpd.com

NXP MMRF5018HSR5