20 de julio de 2023 - GINEBRA, Illinois: Richardson RFPD, Inc, una empresa de Arrow Electronics, ha anunciado hoy la disponibilidad y las capacidades completas de soporte de diseño para un nuevo transistor de nitruro de galio de potencia de RF de NXP Semiconductors.

El MMRF5018HSR5 es un transistor de potencia de RF de onda continua de 125 vatios optimizado para el funcionamiento en banda ancha hasta 2700 MHz. Incluye adaptación de entrada para un rendimiento de ancho de banda ampliado.

Las características clave incluyen:

• Alta densidad de potencia
• Década de rendimiento del ancho de banda
• Envasado de mayor resistencia térmica
• Ganancia de potencia: 12,0 dB
• Eficacia de drenaje: 64,4% (típ.)
• Alta robustez: > 20:1 VSWR

Con sus capacidades de banda ancha, alta ganancia, robustez y eficiencia de drenaje, el MMRF5018HSR5 ofrece una solución completa para aplicaciones de comunicación multibanda. También es versátil para una amplia gama de aplicaciones de CW, pulsos y RF de banda ancha.

Hay disponible una placa de evaluación.

Para obtener más información o adquirir este producto hoy mismo en línea, visite la página web MMRF5018HSR5. El producto también está disponible llamando al 1-800-737-6937 (en Norteamérica) o buscando un ingeniero de ventas local (en todo el mundo) en Local Sales Support. Para obtener más información sobre otros productos de NXP, visite la página web de la tienda de NXP.