DOWNERS GROVE, Illinois (8. Dezember 2025) – Richardson RFPD, Inc., ein Unternehmen von Arrow Electronics, bietet nun umfassende Designunterstützung und Verfügbarkeit für zwei neue hochleistungsfähige GaN-HF-Leistungstransistoren von Guerrilla RF: den GRF0020 und den GRF0030. Diese GaN-on-SiC-HEMTs bieten außergewöhnliche Effizienz und Bandbreite für anspruchsvolle HF-Anwendungen.

Unübertroffene Leistung für HF-Systeme

• GRF0020
  • Frequenzbereich: DC bis 7,0 GHz
  • Ausgangsleistung (P3dB): 30 W bei 50 V; 19 W bei 28 V
  • Gesättigte Verstärkung: 13,5 dB
  • Ablaufleistung: 51 %
  • Gesättigte Ausgangsleistung: 45,1 dBm
• GRF0030
  • Frequenzbereich: DC bis 6,0 GHz
  • Ausgangsleistung (P3dB): 50 W bei 50 V; 25 W bei 28 V
  • Gesättigte Verstärkung: 12,7 dB
  • Ablaufleistung: 60 %
  • Gesättigte Ausgangsleistung: 46,6 dBm

Beide Bausteine arbeiten mit einer Versorgungsspannung von 50 V und unterstützen für mehr Flexibilität auch einen Betrieb mit 28 V. Sie sind in einem handelsüblichen 3 mm x 3 mm großen QFN-16-Gehäuse für die Oberflächenmontage untergebracht und auch als Bare Die erhältlich: GRF0020D und GRF0030D.

Anwendungen

• Zelluläre Infrastruktur
• Radarsysteme
• Drahtlose Kommunikation
• Test- und Messgeräte

Warum GaN-auf-SiC?

Die GaN-auf-SiC-Technologie bietet im Vergleich zu herkömmlichen LDMOS- oder GaAs-Lösungen eine überlegene Leistungsdichte, thermische Leistung und Effizienz, wodurch sich diese Bauelemente ideal für HF-Designs der nächsten Generation eignen.

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Datenblätter, Preise und Online-Bestellungen finden Sie bei Richardson RFPD: GRF0020 & GRF0030. Weitere Informationen zu Produkten von Guerrilla RF finden Sie auf der Website von Guerrilla RF.

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