26. März 2019 - Genf, III:
Richardson RFPD, Inc. gab heute die Verfügbarkeit und den vollen Design-Support für eine neue Familie von 650 V GaN E-HEMTs von GaN Systems Inc. bekannt.
Die GS-065-0xx-1-L-Geräte eignen sich ideal für Anwendungen mit geringem Stromverbrauch, z. B. für Ladevorgänge, Stromversorgungen, Beleuchtung und Geräte. Sie zeichnen sich aus durch:
- Industriestandard 5 mm x 6 mm PDFN-Gehäuse
- Montage mit Standard-SMT-Verfahren
- Skalierbar: 3,5 A bis 11 A bei gleichem Platzbedarf
- Schnelle, saubere Schaltgeschwindigkeit
- Hohe Schaltfrequenz (20 MHz+)
- Geringe Schaltverluste
- Niedriges EMI
- Hohe Effizienz
- Kelvins Sinn
- Null Qrr
- Kühlung der Unterseite
FÜR DETAILS KONTAKTIEREN SIE
DAVE ROSSDEUTCHER
Direktor Globales Produktmanagement - Energie & Leistung
P: 630 262 6800
drossdeutcher@richardsonrfpd.com
Weitere wichtige Merkmale des GS-065-0xx-1-L:
Teil Nummer | Spannung | Strom RDS(ein) | Verpackung/Größe (mm) |
|---|---|---|---|
GS-065-004-1-L | 650 | 3.5 A
500 mΩ
| 5 x 6 PDFN |
GS-065-008-1-L | 650 | 8 A
225 mΩ
| 5 x 6 PDFN |
GS-065-011-1-L | 650 | 11 A
150 mΩ
| 5 x 6 PDFN |
Um weitere Informationen zu erhalten oder dieses Produkt noch heute online zu kaufen, besuchen Sie bitte die GS-065-0xx-1-L Webseite; oder finden Sie einen lokalen Vertriebsingenieur (weltweit) unter Local Sales Support. Um mehr über weitere Produkte von GaN Systems zu erfahren, besuchen Sie bitte die GaN Systems Storefront Webseite.
