睿查森电子推出来自 GaN Systems 的全新 650 V GaN E-HEMT 系列产品

睿查森电子推出来自 GaN Systems 的全新 650 V GaN E-HEMT 系列产品

GS-065-0xx-1-L 提供 3.5 A、8 A 和 11 A 设备

新闻发布

巴特菲尔德路 2001 号 1800 室
伊利诺斯州唐纳斯格罗夫60515

P: 630 262 6800

F: 630 262 6850

2019年3月26日--日内瓦,III:

睿查森电子公司(GaN Systems Inc.)今天宣布,GaN Systems Inc.的全新650 V GaN E-HEMT系列产品已上市并具备全面的设计支持能力。

 

GS-065-0xx-1-L 器件是充电、电源、照明和电器等低功耗应用的理想之选。它们的特点是

 

  • 行业标准 5 毫米 x 6 毫米 PDFN 封装
  • 使用标准 SMT 工艺组装
  • 可扩展:在相同的占地面积内,电流从 3.5 A 到 11 A 不等
  • 快速、简洁的切换速度
  • 高开关频率(20 MHz 以上)
  • 开关损耗低
  • 低电磁干扰
  • 高效率
  • 开尔文意识
  • 零 Qrr
  • 底部冷却

详情请联系

DAVE ROSSDEUTCHER
能源与电力全球产品管理总监
电话:630 262 6800
drossdeutcher@richardsonrfpd.com

GS-065-0xx-1-L 的其他主要功能:

部件编号
电压
当前 RDS(开)
包装/尺寸(毫米)
GS-065-004-1-L
650
3.5 A 500 mΩ
5 x 6 PDFN
GS-065-008-1-L
650
8 A 225 mΩ
5 x 6 PDFN
GS-065-011-1-L
650
11 A 150 mΩ
5 x 6 PDFN

欲了解更多信息或立即在线购买该产品,请访问GS-065-0xx-1-L 网页;或通过本地销售支持找到本地销售工程师(全球)。如需了解 GaN Systems 的其他产品,请访问GaN Systems 商店页面。

GaN Sytems 徽标