DOWNERS GROVE, Illinois (25. Februar 2026) – Richardson RFPD, Inc., ein Unternehmen von Arrow Electronics, gab die erweiterte Verfügbarkeit der Gen 4-Siliziumkarbid (SiC)-MOSFET-Plattform von Wolfspeed bekannt, die für Effizienz, vereinfachtes Schaltverhalten und langfristige Zuverlässigkeit für die anspruchsvollsten Hochleistungsanwendungen von heute entwickelt wurde.

Die Gen 4-Technologie von Wolfspeed wurde entwickelt, um die Leistung auf Systemebene zu verbessern und gleichzeitig die Komplexität des Designs zu reduzieren. Mit Geräten in den Klassen 750 V, 1200 V und 2300 V unterstützt das Portfolio Leistungsmodule, diskrete Komponenten und Bare-Die-Formate und bietet Ingenieuren damit umfassende Flexibilität in den Bereichen Industrie, erneuerbare Energien, EV-Ladetechnik, USV und Hochspannungsumwandlung.

Höhere Effizienz und vereinfachtes Design

MOSFETs der 4. Generation bieten geringere Schaltverluste und unterstützen höhere Schaltfrequenzen, wodurch kleinere passive Bauelemente und eine höhere Leistungsdichte möglich sind. Ihre optimierten Leitungseigenschaften reduzieren Verluste über den gesamten Lastbereich hinweg – ein entscheidender Faktor für Traktionswechselrichter in Elektrofahrzeugen, industrielle Motorantriebe und Stromversorgungssysteme in KI-Rechenzentren.

Bewährte Zuverlässigkeit und verbesserte thermische Leistung

Die auf der branchenführenden SiC-Technologie von Wolfspeed basierenden Geräte der Generation 4 bieten eine verbesserte Robustheit und einen kühleren Betrieb. Dank ihrer Kompatibilität mit Gate-Ansteuerungsbedingungen von 15–18 V beim Einschalten und 0 V bis –5 V beim Ausschalten lassen sie sich leicht in bestehende Hochleistungsarchitekturen integrieren, während verbesserte Kennwerte für den sicheren Betriebsbereich den Einsatz in raueren Umgebungen und längere Systemlebenszyklen ermöglichen.

Optimiert für reale Hochleistungsanwendungen

Die 1200-V-SiC-MOSFET-Familie von Wolfspeed bietet mehrere Optionen für den Durchlasswiderstand, damit Entwickler ein Gleichgewicht zwischen Kosten, Leistung und Effizienz finden können. Hart schaltende Anwendungen profitieren von geringeren Einschaltverlusten und einer verbesserten Coss-Linearität, während weich schaltende Topologien ein gleichmäßigeres Verhalten und geringere EMI aufweisen.

Weitere Informationen zu den MOSFETs der Generation 4 von Wolfspeed, einschließlich Alternativen zu Produkten der Generation 3, oder um ein Muster anzufordern, finden Sie auf der Website von Richardson RFPD.