Neudefinition von Leistung und Haltbarkeit in Hochleistungsanwendungen

Entwickelt, um die Systemeffizienz umfassend zu verbessern
RFPD
Wolfspeed Gen 4 MOSFETs: Leistung für den realen Einsatz mit Effizienz der nächsten Generation

Wolfspeed Gen 4 MOSFETs: Leistung für den realen Einsatz mit Effizienz der nächsten Generation

Wolfspeed hat seine Technologieplattform der vierten Generation vorgestellt, die für bahnbrechende Leistung, Langlebigkeit und Effizienz bei Hochleistungsanwendungen entwickelt wurde.

Gen 4 wurde entwickelt, um das Schaltverhalten zu vereinfachen und die Komplexität des Designs zu reduzieren. Es unterstützt eine breite Palette von Produkten, darunter Leistungsmodule, diskrete Komponenten und Bare Dies, die in den Klassen 750 V, 1200 V und 2300 V erhältlich sind.

Wolfspeed-Logo

Warum Industrial 1200V GEN 4?  von Wolfspeed

Wolfspeed bietet eine neue Familie von 1200-V-Siliziumkarbid (SiC)-MOSFETs an, die für den Einsatz in Hochleistungsanwendungen wie Solar- und Energiespeichersystemen, EV-Ladegeräten, unterbrechungsfreien Stromversorgungen (USV), Motorantrieben, Schaltnetzteilen, Hochspannungs-DC/DC-Wandlern und mehr optimiert sind. Die 1200-V-SiC-MOSFETs von Wolfspeed basieren auf einer neuen Technologiegeneration und umfassen eine Reihe von Optionen für den Durchlasswiderstand, sodass Entwickler das richtige Bauteil für ihre Anwendungen auswählen können. 

Verbesserte Schaltleistung

Geringere Verluste, höhere Effizienz, höhere Schaltfrequenzen, kleinere passive Bauelemente

Robustheit und Zuverlässigkeit

Aufbauend auf Wolfspeeds jahrzehntelanger, bewährter Führungsrolle im Bereich SiC und langjähriger Zuverlässigkeit im Einsatz

Ein Portfolio – alle Märkte

Aufbau auf 200 mm, breiter Spannungsbereich von 650 V bis 3300 V+

Kompatibilität

15-18 VGS Einschalt- und 0 V…-5 V Ausschaltfähigkeit

Thermische Leistung

Kühlerer Betrieb, geringerer Kühlbedarf, längere Lebensdauer

Höhere Leistungsdichte

Leichtere, kompaktere Systeme

Industriell 1200 V GEN 4  Alternativen für GEN 3-Geräte

Die 1200-V-MOSFETs sind füreinen extrem niedrigenRDS(ON) undein erhöhtesCGS/CGD-Verhältnis ausgelegt, um eine verbesserte Hartschaltleistung mit geringeren Einschaltverlusten innerhalb des sicheren Betriebsbereichs zu erzielen. Auch Weichschaltanwendungen können von dem linearerenCOSS-Verhalten profitieren. Die durch den Wechsel von einer siliziumbasierten Lösung zu Siliziumkarbid erzielte Effizienzsteigerung kann in den meisten Hochleistungsanwendungen dazu beitragen, die Größe, das Gewicht, die Komplexität des Designs und die Kosten des Systems zu reduzieren.
J TO-263-7
J TO-263-7
J TO-263-7
Teil Nummer
RDS(ein)(25 °C)
D
TO-247- 3
K
TO-247-4
K1
TO-247-4 (LP)
J
TO-263-7
J1-
-TO-263-7XL
J2-
TO-263-7XL
U2
TSC
C3M0016120x
16mΩ
K.A.
C4MS018120K*
C4MS018120K1*
C4MS018120J2*
C4MS018120U2*
C3M0021120x
21mΩ
K.A.
C4MS025120K
C4MS025120K1
C4MS025120J2
C4MS025120U2
C3M0032120x
32mΩ
K.A.
C4MS036120K
C4MS036120K1
C4MS036120J2
C4MS036120U2
C3M0040120x
40mΩ
K.A.
C4MS047120K
C4MS047120K1
C4MS047120J2
C4MS047120U2
C3M0075120x
75mΩ
K.A.
C4MS065120K
C4MS065120K1
C4MS065120J2
C4MS065120U2
C4MS080120K*
C4MS080120K1*
C4MS080120J2*
C4MS080120U2*

*Diese Geräte werden im ersten Halbjahr des Kalenderjahres 2026 auf den Markt kommen.
Hinweis: Diese Empfehlungen können je nach den spezifischen Anwendungstopologien und Einsatzprofilen variieren.

GeN 4-Technologie Weitere Ressourcen

Siliziumkarbid-Technologie der 4. Generation:

Leistung und Haltbarkeit in Hochleistungsanwendungen

In diesem White Paper wird die vierte Generation der Siliziumkarbid (SiC)-MOSFET-Technologie von Wolfspeed vorgestellt, die für Hochleistungselektronikanwendungen entwickelt wurde. Aufbauend auf einer langen Tradition von SiC-Innovationen hat Wolfspeed regelmäßig innovative Technologielösungen vorgestellt, die neue Maßstäbe in der Branche setzen. Die SiC-MOSFETs der dritten Generation haben bereits vor der Einführung von Gen 4 wichtige Designelemente für ein breites Spektrum von Anwendungsfällen ausgeglichen und einen Maßstab für eine abgerundete Leistung bei hart schaltenden Anwendungen gesetzt.
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Über unser Expertenteam

Unser Team aus weltweit tätigen Anwendungsingenieuren steht für Ihre Fragen zur Verfügung, um sicherzustellen, dass Ihr Entwurf für ein Energieumwandlungs- oder Energiespeichersystem Ihre Leistungserwartungen erfüllt. Wenn Sie von Silizium auf Galliumnitrid (GaN) oder Siliziumkarbid (SiC) umsteigen, helfen wir Ihnen, das richtige Schaltgerät zu finden, um die Leistungsdichte und den höheren Wirkungsgrad zu erreichen, die Ihre Anwendung erfordert.
 
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