Neuer Breitband-RF-GaN-Transistor für die Luft- und Raumfahrt und die Verteidigungskommunikation

Neuer Breitband-RF-GaN-Transistor für die Luft- und Raumfahrt und die Verteidigungskommunikation

9. Juni 2023

Luft- und Raumfahrt & Verteidigung, Kommunikation

In der Verteidigungsindustrie ist Kommunikation nicht nur notwendig, sie ist eine Lebensader. Die HF-Transistoren von NXP haben sich in den rauesten Umgebungen als robust und zuverlässig erwiesen. Der MMRF5018HS bietet mehr als nur Zuverlässigkeit - er ist eine echte Komplettlösung für Multiband-Kommunikation mit klassenbesten Breitbandfähigkeiten, hoher Verstärkung und Drain-Effizienz.

Die Multioktav-Breitbandleistung des MMRF5018HS ist für Anwendungen optimiert, die bei 1-2700 MHz arbeiten. Beim Betrieb mit solch großen Bandbreiten und hoher Leistung wird die Wärmeentwicklung zu einem wichtigen Faktor, wenn es darum geht, die Wärme abzuleiten. NXP arbeitet weiter an der Verbesserung seines GaN-Breitbandportfolios mit diesem niedrigen Wärmewiderstand von 1,21° C/W (FEA-berechneter Wärmewiderstand) zwischen Kanal und Gehäuse bei 90 °C und 109 W Verlustleistung.

NXP-Logo

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