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NXP beschleunigt 5G-Designs mit RapidRF

NXP beschleunigt 5G-Designs mit RapidRF

November 18, 2022

NXP

5G

Da Open RAN (O-RAN) weltweit immer weiter ausgebaut wird, ermöglicht NXP durch die Entwicklung verbesserter Referenzdesigns eine schnellere Bereitstellung von 5G O-RAN. Dazu gehört auch ein RF-Ansatz für Kundendesigns mit unseren RapidRF Smart LDMOS Front-End-Lösungen, die als "SL Series" bekannt sind.
Das RapidRF-Front-End-Referenzboard der 2. Generation von NXP wurde entwickelt, um Platz auf der Leiterplatte zu sparen, die Gesamtkomplexität zu verringern und eine komplette, sofort einsatzbereite Schaltung für TDD-Mobilfunkanwendungen bereitzustellen. Wie die vorherigen Generationen implementiert auch die 2. Generation des RapidRF vollständig angepasste Verstärker mit 50 Ohm Eingang und 50 Ohm Ausgang. Dies ermöglicht ein komplettes Line-up ohne Abstimmungsaufwand für eine einfache Nutzung.
RapidRF-Referenzschaltung mit komplettem Layout des PA von NXP, Pre-Driver, Rx-LNA mit T/R-Schalter und einem Zirkulator.
RapidRF-Referenzschaltung mit komplettem Layout des PA von NXP, Pre-Driver, Rx-LNA mit T/R-Schalter und einem Zirkulator.

Die2. Generation des RapidRF enthält jetzt auch ein PA-Modul mit integrierter Autobias-Steuerung, die werkseitig auf den optimalen Bias-Punkt eingestellt ist oder über die programmierbare serielle Schnittstelle für jede Anwendung angepasst werden kann. Die integrierte Autobias-Steuerung verfügt über eine neuartige Rückkopplungsschaltung mit geschlossener Schleife, die die LDMOS-Gatespannung anpasst, um einen konsistenten Ruhevorspannungsstrom für eine kontinuierliche Temperaturverfolgung aufrechtzuerhalten.

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