Die2. Generation des RapidRF enthält jetzt auch ein PA-Modul mit integrierter Autobias-Steuerung, die werkseitig auf den optimalen Bias-Punkt eingestellt ist oder über die programmierbare serielle Schnittstelle für jede Anwendung angepasst werden kann. Die integrierte Autobias-Steuerung verfügt über eine neuartige Rückkopplungsschaltung mit geschlossener Schleife, die die LDMOS-Gatespannung anpasst, um einen konsistenten Ruhevorspannungsstrom für eine kontinuierliche Temperaturverfolgung aufrechtzuerhalten.
Verwandte Seiten Inhalt

Entdecken Sie innovative Produkte und Lösungen auf unserem IMS2025-Stand
Sie konnten nicht persönlich anwesend sein? Sie können trotzdem Produkte und Lösungen an unserem Stand entdecken.

Neue Familie von RF-Leistungs-Makro-GaN-Transistoren von NXP
Das RF-Power-Macro-GaN-Portfolio von NXP umfasst RF-Hochleistungstransistoren, die für Remote Radio Heads (RRH) in Mobilfunk-Basisstationen entwickelt wurden.

RF-Verstärker von führenden Herstellern
Richardson RFPD führt und unterstützt ein breites Portfolio an HF-Sendegeräten der führenden Hersteller.