Hochdichte Silizium-Hi-Q-Kondensatoren

Geeignet für den Einsatz in Resonanzkreisen, als DC-Block und als RF-Bypass-Kondensatoren
NEU! 50 V MACOM KV CAPS™

NEU! 50 V MACOM KV CAPS™

Die MACOM KV CAPS™ Si-Kondensatoren zeichnen sich aufgrund ihres neuartigen internen Aufbaus und der sehr hochwertigen dielektrischen Schichten durch sehr geringe Verluste und eine ausgezeichnete Stabilität aus. Diese Kondensatoren sind als unverpackte Chips erhältlich. Die Chips haben Goldkontaktflächen an beiden Anschlüssen, um eine hervorragende Verbindung und einen minimalen Kontaktwiderstand zu ermöglichen.

Eine neuartige Konstruktion: MACOM KV-Kondensatoren

MACOM KV CAPS™-Siliziumkondensatoren sind Siliziumkondensatoren mit hoher Dichte und hoher Arbeitsspannung, die eine neuartige Topologie verwenden, bei der die parallelen Platten der Kondensatoren im Wesentlichen zu dreidimensionalen Strukturen gefaltet werden, wodurch eine größere Kapazität pro Flächeneinheit des Die-Footprints als bei einem einfachen Parallelplattenkondensator entsteht. Bei dieser Technologie kommen hochzuverlässige Materialien und Wafer-Verfahren zum Einsatz, die in der Halbleiterindustrie seit Jahrzehnten als Grundnahrungsmittel gelten.

Eine größere Oberfläche bedeutet eine höhere Dichte, was zu einer größeren Kapazität bei einer bestimmten Größe führt.

Die KV CAPS™ von MACOM haben die höchsten verfügbaren Arbeitsspannungswerte für Kondensatoren auf Siliziumbasis. Die KV-Kondensatoren mit einer Arbeitsspannung von 50 VDC sind ideal für den Einsatz in anspruchsvollen Chip-und-Draht-Schaltungen für DC-Blockierung, AC-Bypass und Resonanzkreisanwendungen.

MACOM KV CAPS™ verwenden Gräben in der Oberseite des Siliziumchips. Das Siliziumsubstrat hat einen sehr niedrigen spezifischen Widerstand und wird als untere Platte der Struktur verwendet. Auf der gesamten Oberseite des Substrats wird ein Dünnfilm-Dielektrikum aufgebracht, das die mittlere, isolierende Schicht des Kondensators bildet. Die Oberseite der dielektrischen Schicht ist mit einem leitenden Material beschichtet, um die obere Platte der Kondensatorstruktur zu bilden. Durch diese Geometrie wird die gemeinsame Fläche der parallelen Platten effektiv vergrößert, da die Flächen der Böden, der Oberseiten und der Seitenwände der Gräben alle die effektive Fläche der parallelen Plattenkondensatorstruktur ausmachen.

Die 50-V-, 200-V- und 500-V-Kondensatorfamilien sind als ungehäuste Chips erhältlich, die für Chip-und-Draht-Hybridschaltungsanwendungen optimiert sind. Die äußersten Schichten der Ober- und Rückseitenkontakte sind aus Gold.

50 V MACOM KV CAPS™: Si-Hi-Q-Kondensatoren

Die neuartige Konstruktion von MACOM KV™ bietet viele Leistungsvorteile. Bei diesen Bauelementen handelt es sich im Wesentlichen um Parallelplattenkondensatoren, die auf einem hochleitfähigen Siliziumsubstrat aufgebaut sind.

Teil Nummer
Kapazitätswert (pF)
Kapazitätstoleranz (%)
Arbeitsspannung DC WVDC (V)
Chip Abmessungen (mm)
MKVC-050100-14530G
47
10
50
0,35 x 0,35 x 0,254
MKVC-0547R0-14530G
100
10
50
0,35 x 0,35 x 0,254

Merkmale und Vorteile

  • Hohe Kapazität pro Grundfläche bei gleichzeitiger Unterstützung großer Arbeitsspannungen.
  • Ausgezeichnete Langzeit-Kapazitätsstabilität
  • Hoher Qualitätsfaktor
  • Sehr geringe Änderung der Kapazität in Abhängigkeit von der Temperatur.
  • Nicht-magnetische Materialien/Konstruktion
  • Kompatibel mit der branchenüblichen Chip-und-Draht-Konstruktion.
  • Metallisierter Kontakt auf der Rückseite des Stempels.
  • Die Oberseite aus Metall eignet sich für Draht-/Bandverbindungen.

Hohe Stabilität Über Temperatur

Diese Kondensatoren weisen eine sehr geringe temperaturabhängige Kapazitätsänderung auf, die typischerweise weniger als ± 0,5 % über den Temperaturbereich von -55 bis +300 °C beträgt. Ihre Kapazität wird durch die Vorspannung nicht beeinflusst und ihre langfristige Kapazitätsstabilität ist ausgezeichnet, ebenso wie ihre Zuverlässigkeit. MACOM KV CAPS™ haben einen sehr niedrigen äquivalenten Serienwiderstand und eine äquivalente Serieninduktivität.

50 V MACOM KV CAPS™: Informationen zur Anwendung

Empfohlene Methoden zum Anbringen von Stanzformen

Die unverpackten Würfel können mit Lot oder leitfähigem Epoxid auf einem Schaltungsträger befestigt werden.

Land Pad Design

Beim Entwurf eines Pads für leitfähige Epoxidverbindungen wird empfohlen, dass die Größe des Pads auf allen Seiten 0,004 Zoll (0,100 mm) größer ist als der Chip, um eine ordnungsgemäße Verrundung zu ermöglichen. Für eutektisches 80/20 AuSn-Lot wird eine dickere Goldschicht empfohlen, um eine korrekte intermetallische Bildung zu gewährleisten. Der typische Bereich liegt zwischen 50 und 100 Mikrozoll. Bei der Gestaltung der Lötaugen entnehmen Sie bitte die empfohlenen Lötaugen dem Datenblatt.

Lötstempel anbringen

Die Befestigung der Lötstempel kann mit einem eutektischen Lot wie Au(80)/Sn(20), bleihaltigen Loten wie Sn63Pb37 oder mit einem der verschiedenen RoHS-kompatiblen Lote wie Sn96.53Ag0.5Cu (SAC305) usw. erfolgen. Für bleihaltige oder RoHS-Lötpasten wird empfohlen, eine nicht zu reinigende Lötpaste zu verwenden, um eingeschlossene Flussmittel zu vermeiden, die nicht wie von IPC-7093 empfohlen gereinigt werden können.

Leitfähiges Epoxidharz Die Attach

Die Befestigung der Lötstempel kann mit einem eutektischen Lot wie Au(80)/Sn(20), bleihaltigen Loten wie Sn63Pb37 oder mit einem der verschiedenen RoHS-kompatiblen Lote wie Sn96.53Ag0.5Cu (SAC305) usw. erfolgen. Für bleihaltige oder RoHS-Lötpasten wird empfohlen, eine nicht zu reinigende Lötpaste zu verwenden, um eingeschlossene Flussmittel zu vermeiden, die nicht wie von IPC-7093 empfohlen gereinigt werden können.

Au(80)/Sn(20) Eutektische Lötverbindung

80/20 AuSn-Lot wird in der Regel als Vorform geliefert. Die empfohlene Größe der Vorform ist 0,005 Zoll (0,125 mm) unterdimensioniert von jeder Kante. Die typische Dicke der Vorform beträgt 0,001 Zoll (0,025 mm). MACOM empfiehlt das unten gezeigte Löttemperaturprofil für eutektisches Au(80)/Sn(20)-Lötzinn. Das Lot wird in der Regel mit Hilfe von Wärme und Formiergas verflüssigt. Es ist wichtig, dass die folgenden Maximalbedingungen beim Die Attach nicht überschritten werden: > maximale Löttemperatur: 350°C > maximale Dauer der Temperaturspitze: 5 s

Draht-/Faserbündelungen

Obwohl die Konstruktion von MACOMs KV™ sehr robust ist, wird empfohlen, Drähte oder Bänder in der Nähe der Mitte des oberen Kontakts zu befestigen, um mechanische Beschädigungen, wie z. B. Mikrorisse, am Chip zu vermeiden, die die Arbeitsspannungsfähigkeit des Chips beeinträchtigen könnten. Es können Thermokompressions- oder Ultraschallklebeverfahren verwendet werden. Für die meisten Kapazitätswerte ist der obere Kontakt des KV™-Kondensators ausreichend groß, um die Befestigung mehrerer Drähte oder Bänder zu ermöglichen. Der obere Kontakt des Kondensators ist mit einer Goldschicht versehen. Vor dem Bonden von Drähten oder Bändern kann eine Plasmareinigung erforderlich sein, um alle organischen Verunreinigungen zu entfernen, die die Qualität der Bondschnittstelle beeinträchtigen könnten. Die verwendeten Parameter können je nach dem Drahtbondverfahren und dem verwendeten Draht-/Bandtyp variieren. Zu den üblichen Legierungen, die verwendet werden können, gehören CuPdAu- und Au-Drähte.

RF & Mikrowellen-Unterstützung

Geben Sie uns die Möglichkeit, Ihr Projekt zu bewerten und Ihre Vision schneller auf den Markt zu bringen.

Über unser Expertenteam

Richardson RFPD verfügt über ein Team von mehr als 50 technischen Mitarbeitern, die bei einer Vielzahl von Themen Unterstützung leisten. Obwohl es zu viele sind, um sie alle aufzuzählen, haben wir bestimmte Themen hervorgehoben, die einen Eindruck von unserer Unterstützung vermitteln.