Diese skalierbaren Designs bieten NXPs neueste Serie von Vortreibern, 50-Ohm-Multi-Chip-PA-Modulen und Rx-Lösungen in einem kleinen Formfaktor.
Die RapidRF-Frontends von NXP Semiconductors integrieren einen HF-Leistungsverstärker, Rx-LNAs, einen T/R-Schalter, einen Zirkulator und einen Bias-Controller in einem kompakten Footprint. Sie enthalten einen Koppler für die DPD-Rückkopplung und sind für den Einsatz mit digitaler Vorverzerrung vorgesehen.
Die RapidRF-Referenzplatinen sind ideal für 5G-Funkeinheiten, die eine durchschnittliche Sendeleistung von 2,5 W bis 5,0 W (34 dBm bis 37 dBm) an der Antenne benötigen. Versionen für verschiedene Bänder verwenden ein gemeinsames PCB-Layout, was sowohl das Design als auch die Herstellung vereinfacht und die Markteinführung beschleunigt.
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NXP 28-V-LDMOS-RF-Front-End-Entwürfe
Teil Nummer | Frequenzbereich | Durchschnittliche Ausgangsleistung | Verfügbarkeit | RAPIDRF-36SL039 | 3400-3600 MHz | 39 dBm (8 W) bei 8,5 dB OBO, bei 29 V | Bestellen / Mehr erfahren |
|---|---|---|---|
RAPIDRF-35TL039 | 3400-3600 MHz | 38,5 dBm (7 W) bei 9,0 dB OBO, bei 26 V | Bestellen / Mehr erfahren |
RAPIDRF-26E39 | 2496-2690 MHz | 39 dBm (8 W) bei 8 dB OBO, bei 27 V | Bestellen / Mehr erfahren |
RAPIDRF-35D35 | 3400-3600 MHz | 34,8 dBm (3 W) bei 8,4 dB OBO, bei 24 V | Bestellen / Mehr erfahren |
NXP RapidRF 5G-Ressourcen
RapidRF-Faktenblatt
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Rapid RF Smart LDMOS Benutzerhandbuch
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NXP
NXP bietet das umfangreichste RF-Leistungsverstärker-Produktportfolio für drahtlose Infrastrukturen, das sich über mehrere Integrationsebenen erstreckt.
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NXP hat eine Familie von 5G-Massive-MIMO-Modulen vorgestellt, die seine innovative neue Oberseiten-Kühlgehäuse-Technologie nutzen.
