Airfast-GaN-RF-Transistor von NXP

Der A3G26D055N kann in verschiedenen Märkten eingesetzt werden.
NXP Vielseitiger 55 W GaN auf SiC HEMT

NXP Vielseitiger 55 W GaN auf SiC HEMT

Der NXP A3G26D055N ist ein diskreter GaN-HF-Leistungstransistor für 100-2690 MHz, der in einem 7 x 6,5 mm großen, umspritzten Kunststoffgehäuse (DFN) untergebracht ist. Sein unübertroffener Ausgang ermöglicht die Nutzung eines breiten Frequenzbereichs.

Das Sub-6-GHz-Gerät A3G26D055N arbeitet im 2,6-GHz-Mobilfunkband mit 39 dBm und einer durchschnittlichen Leistung von 8 W. Er kann sowohl für 5G-Massive-MIMO-Funkeinheiten (64T64R) als auch für Mobilfunkbänder unter 1 GHz als Treiber für Makro-Funkeinheiten wie 4T4R-Antennensysteme verwendet werden.

Vielseitige GaN-Lösung für verschiedene Märkte

2,6-GHz-Mobilfunkband 64t64R 5G mMIMO-Funkeinheiten (39 dBm/8 W Durchschnittsleistung)

<1 GHz Cellular Bands Driver for macro radio units (ex: 4T4R)

2,45 GHz ISM-Band. RF Energy-Treiber für Koch-, Industrie-, Heiz- und Schweißanwendungen. RF Energy Endstufe mit niedriger Leistung (25 W CW) für medizinische und industrielle Anwendungen

100-2800 MHz taktische Breitbandkommunikation. 25 W CW-Breitband-Niederleistungsendstufe oder Treiber für MRF5014H/5018H

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