United Monolithic SemiconductorsDas GaN-Produktportfolio bietet hervorragende SWaP-Werte (Größe, Gewicht und Leistung) und erfüllt damit eine Vielzahl von Anforderungen an Verstärker und Frontend-Module für SATCOM und ADEF. Dank ihrer weltraumgeprüften Technologien und des Qualifizierungsablaufs für weltraumtaugliche Produkte eignen sich diese Produkte hervorragend für den Einsatz in Satellitenausrüstung.
UMS bietet auch mehrere Verpackungsarten für traditionelle GEO- und neue LEO-Uplinks und -Downlinks, sowohl auf dem Satelliten als auch in stationären Boden- oder Mobilgeräten.
GaN-Produktportfolio bietet außergewöhnliches SWaP von UMS
United Monolithic Semiconductors UMS)
RF-Leistungstransistoren
Bietet universelle und breitbandige Lösungen für HF-Leistungsanwendungen, die sich ideal für Radar und Telekommunikation eignen.
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RF- und mmW-Frontend-Module
Für eine breite Palette von Anwendungen, wie Punkt-zu-Punkt-Funk, VSAT und Radar.
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mmW-Leistungsverstärker
RF & mmW-Verstärker und Front-End-Module von UMS
Teil Nummer | Technologie | Frequenz (GHz)
| Psat (W)
| Verstärkung (db)
| PAE (%)
| Vbias (V)
| Stromstärke (mA)
| Verpackung (mm)
| Verfügbarkeit
| |||
RF-Leistungstransistor | ![]() | CHK015AA-QIA | GaN | DC-4 | 20 | 18 | 55 | 50 | 800 | 3 x 4 DFN | Bestellen / Mehr erfahren | |
RF & mmW Front-End-Modul | ![]() | CHC6094-QKB/20 | GaN | 37-41 | 2 | 23 | 13 | 23 | 60 | 4 x 4 QFN | Bestellen / Mehr erfahren | |
RF- und MW-Leistungsverstärker | ![]() | CHA7063-QCB/20 | GaN | 12.7-20 | 5 | 20 | 17 | 20 | 216 | 5 x 5 QFN | Bestellen / Mehr erfahren | |
![]() | CHA6357-QKB/20 | GaN | 27-31 | 4 | 28 | 20 | 25 | 800 | 4 x 4 QFN | Bestellen / Mehr erfahren | ||
![]() | CHA6282-QCB/20 | GaN | 17.3-21.5 | 4 | 30 | 28 | 18 | 260 | 5 x 5 QFN | Bestellen / Mehr erfahren | ||
![]() | CHA8362-99F/00 | GaN | 26.5-31 | 25 | 25 | 30 | 25 | 440 | 3,6 x 3,6 Würfel | Bestellen / Mehr erfahren |




