United Monolithic SemiconductorsDas GaN-Produktportfolio von United Monolith Semiconductors bietet ein hervorragendes SWaP (Größe, Gewicht und Leistung), um eine Vielzahl von Verstärker- und Frontend-Modulen für SATCOM und ADEF zu erfüllen. Aufgrund ihrer weltraumerprobten Technologien und des weltraumtauglichen Produktqualifizierungsprozesses eignen sich diese Produkte hervorragend für den Einsatz an Bord von Satellitengeräten.
UMS bietet auch mehrere Verpackungsarten für traditionelle GEO- und neue LEO-Uplinks und -Downlinks, sowohl auf dem Satelliten als auch in stationären Boden- oder Mobilgeräten.
GaN-Produktportfolio bietet außergewöhnliches SWaP von UMS
Vereinigte Monolithische Halbleiter (UMS)
RF-Leistungstransistoren
Bietet universelle und breitbandige Lösungen für HF-Leistungsanwendungen, die sich ideal für Radar und Telekommunikation eignen.
Vereinigte Monolithische Halbleiter (UMS)
RF- und mmW-Frontend-Module
Für eine breite Palette von Anwendungen, wie Punkt-zu-Punkt-Funk, VSAT und Radar.
Vereinigte Monolithische Halbleiter (UMS)
mmW-Leistungsverstärker
RF & mmW-Verstärker und Front-End-Module von UMS
Teil Nummer | Technologie | Frequenz (GHz)
| Psat (W)
| Verstärkung (db)
| PAE (%)
| Vbias (V)
| Stromstärke (mA)
| Verpackung (mm)
| Verfügbarkeit
| |||
RF-Leistungstransistor | | CHK015AA-QIA | GaN | DC-4 | 20 | 18 | 55 | 50 | 800 | 3 x 4 DFN | Bestellen / Mehr erfahren | |
RF & mmW Front-End-Modul |  | CHC6094-QKB/20 | GaN | 37-41 | 2 | 23 | 13 | 23 | 60 | 4 x 4 QFN | Bestellen / Mehr erfahren | |
RF- und MW-Leistungsverstärker |  | CHA7063-QCB/20 | GaN | 12.7-20 | 5 | 20 | 17 | 20 | 216 | 5 x 5 QFN | Bestellen / Mehr erfahren | |
 | CHA6357-QKB/20 | GaN | 27-31 | 4 | 28 | 20 | 25 | 800 | 4 x 4 QFN | Bestellen / Mehr erfahren | ||
 | CHA6282-QCB/20 | GaN | 17.3-21.5 | 4 | 30 | 28 | 18 | 260 | 5 x 5 QFN | Bestellen / Mehr erfahren | ||
 | CHA8362-99F/00 | GaN | 26.5-31 | 25 | 25 | 30 | 25 | 440 | 3,6 x 3,6 Würfel | Bestellen / Mehr erfahren |
Zusätzliche Ressourcen
