HF-Leistungsverstärker (PAs) stehen unter dem Druck, in einer wachsenden Vielfalt von Anwendungen so viel zu leisten wie nie zuvor. Die Technologie muss höhere Verstärkungsziele unterstützen, ohne Kosten, Größe, Gewicht oder Komplexität zu erhöhen. Außerdem wird von ihnen erwartet, dass sie die nötige Linearität und Effizienz bieten, um Modulationsverfahren höherer Ordnung zu unterstützen, die noch empfindlicher auf Verzerrungen reagieren als ihre Vorgänger. Der Platz auf der Leiterplatte ist knapp bemessen, aber bisher war der Weg zu kompakteren Lösungen mit schwierigen Kompromissen beim Verhältnis von Spitzenleistung zu mittlerer Leistung (PAPR) verbunden.

Diese Herausforderungen werden mit einer neuen Generation von monolithischen integrierten Mikrowellenschaltungen (MMICs) aus Galliumnitrid (GaN) gelöst, die immer häufiger dort eingesetzt werden, wo sie am dringendsten benötigt werden. Mit der richtigen Implementierung können Entwickler den Wert dieser Bauelemente in Anwendungen maximieren, die von weltraum- und bodengestützter kommerzieller und militärischer Satellitenkommunikation bis hin zu Testgeräten reichen.

Die Erwartungen an den Einsatz dieser Technologie in 5G-Netzen sind besonders hoch, vor allem im ungenutzten Millimeterwellenband (mmWave), das die Netzbetreiber für die am stärksten überlasteten Teile ihrer Kundenbasis nutzen wollen.