Die Vakuumröhren, die in den heutigen Millimeterwellensendern verwendet werden, werden zunehmend von GaN-HEMTs bedroht. Yifeng Wu und Primit Parikh von Cree führen den GaN-Vorstoß mit Designs an, die Feldplatten, eisendotierte Pufferschichten und eine dünne AlN-Zwischenschicht enthalten, um eine Rekordleistung bei 30 GHz zu erreichen.
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