GaN durchbricht Barrieren - HF-Leistungsverstärker werden breit und hoch

GaN durchbricht Barrieren - HF-Leistungsverstärker werden breit und hoch

März 29, 2022

Luft- und Raumfahrt & Verteidigung, Kommunikation

Das Aufkommen neuer Halbleitermaterialien wie GaN hat die Möglichkeit eröffnet, höhere Leistungspegel über große Bandbreiten zu erreichen. Kürzere GaAs-Bauelemente mit Gate-Länge haben den Frequenzbereich von 20 GHz auf 40 GHz und darüber hinaus erweitert. Die Zuverlässigkeit dieser Bauelemente wird in der Literatur mit über 1 Million Stunden angegeben, wodurch sie in modernen elektronischen Systemen allgegenwärtig sind. Wir gehen davon aus, dass sich der Trend zu höheren Frequenzen und größeren Bandbreiten auch in Zukunft fortsetzen wird.

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