GaNが障壁を打ち破り、RFパワーアンプはワイド&ハイへ

GaNが障壁を打ち破り、RFパワーアンプはワイド&ハイへ

2022年3月29日

航空宇宙・防衛、通信

GaNのような新しい半導体材料の出現は、広い帯域幅をカバーする高出力レベルに達する可能性を開いた。より短いゲート長のGaAsデバイスは、周波数帯域を20GHzから40GHz、そしてそれ以上に拡張した。これらのデバイスの信頼性は100万時間を超えることが文献で示されており、現代の電子システムにとってユビキタスなものとなっている。より高い周波数とより広い帯域幅のトレンドは将来も続くと予想される。

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