Der MSC035SMA070B4 ist ein 700 V, 35 mOhm SiC-MOSFET in einem TO-247-Gehäuse mit Source-Sense.

Das ATSAMR30M18A ist das weltweit kompakteste 802.15.4 Sub-GHz-Modul für das IoT.

27,5-31 GHz, 9 W GaN PA MMIC für 5G, Radar und SatCom von Microchip

Die Siliziumkarbid (SiC)-Leistungs-MOSFET-Produktlinie von Microchip steigert die Leistung gegenüber Silizium-MOSFET- und Silizium-IGBT-Lösungen.

Das ATSAMR21G18-MR210UA ist ein 19 x 20 mm großes, drahtloses Modul mit einem Footprint für die Lötmontage.

Jason Chiang von Microchip stellt das Referenzdesign für einen 30-kW-Wechselrichter vor, der auf Siliziumkarbid-Halbleitern basiert und für Ladeanwendungen von Elektrofahrzeugen gedacht ist.

Die Siliziumkarbid (SiC)-Leistungs-MOSFET-Produktlinie von Microchip steigert die Leistung gegenüber Silizium-MOSFET- und Silizium-IGBT-Lösungen und senkt gleichzeitig die Gesamtbetriebskosten für Hochspannungsanwendungen.

Die hohen Leistungs- und Spannungsanforderungen von Elektrofahrzeugen aller Art, einschließlich Elektrobussen und anderen Stromversorgungssystemen, erfordern die höhere Effizienz der Siliziumkarbid (SiC)-Technologie.

Laden Sie diese neue 56-seitige Broschüre von Microchip herunter, in der das umfangreiche Angebot an Silizium- und Siliziumkarbid-Hochspannungs-Leistungsdiskretionen und -modulen sowie verschiedene zugehörige digitale Gate-Treiber vorgestellt werden.

Das MSCSM120AM042CD3AG ist ein Siliziumkarbid-Leistungsmodul mit einem Phasenabschnitt von 1200 V/495 A.