In dieser Übersicht werden die neuesten Entwicklungen in der Siliziumkarbidtechnologie und die Möglichkeiten der Vergrößerung von SiC zur Deckung der wachsenden Nachfrage nach Elektrofahrzeugen untersucht.

Diese Anwendung befasst sich mit den Arten von Verlusten und den Möglichkeiten zur Gewährleistung einer angemessenen Überwachung und Analyse der Verlustverteilung in parallelen GaN-HEMTs.