Galliumnitrid-HEMTs (High-Electron-Mobility-Transistoren) erfreuen sich in der Welt der Elektronik zunehmender Beliebtheit, da sie im Vergleich zu herkömmlichen Transistoren auf Siliziumbasis eine höhere Leistung aufweisen. Galliumnitrid-HEMTs können mit höheren Schaltfrequenzen arbeiten und ermöglichen es der Industrie, die Größe der im System verwendeten Elektronik zu verringern. Die überlegene thermische Leistung hilft ihnen bei Hochleistungsanwendungen wie Antriebssträngen für Elektrofahrzeuge, Übertragungsleitungen und Motorantrieben.
Dieser Anwendungshinweis befasst sich mit den Arten von Verlusten und den Möglichkeiten zur Gewährleistung einer angemessenen Überwachung und Analyse der Verlustverteilung in parallelen GaN-HEMTs.
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